[发明专利]一种用于功率放大器的自偏置功率检测电路在审
申请号: | 201410053985.4 | 申请日: | 2014-02-18 |
公开(公告)号: | CN104852695A | 公开(公告)日: | 2015-08-19 |
发明(设计)人: | 陈春青;郝明丽;郭瑞;杨浩 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H03F3/20 | 分类号: | H03F3/20;H03F1/02 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 功率放大器 偏置 功率 检测 电路 | ||
1.一种用于功率放大器的自偏置功率检测电路,其特征在于,该自偏置功率检测电路包括信号采集电路(1)、信号放大电路(2)和信号整形电路(3),其中:
信号采集电路(1)用于从被检测电路中采集信号,并能够控制采集的信号大小;
信号放大电路(2)用于对信号采集电路(1)采集的信号进行放大,以实现足够的输出电平信号;
信号整形电路(3)用于对放大后信号进行整形和滤波,从而输出平滑的电平信号。
2.根据权利要求1所述的用于功率放大器的自偏置功率检测电路,其特征在于,所述信号采集电路(1)采用电容耦合的方式实现,包括一个耦合电容(C1),耦合电容(C1)串接在该自偏置功率检测电路的功率检测输入端(RFin)与信号放大电路(2)的信号放大晶体管(HBT2)的基极之间。
3.根据权利要求2所述的用于功率放大器的自偏置功率检测电路,其特征在于,所述信号采集电路(1)采用电容耦合的形式能够通过控制电容的取值大小直接有效的控制信号采集量的大小,耦合电容(C1)的取值越大采集信号也越大。
4.根据权利要求1所述的用于功率放大器的自偏置功率检测电路,其特征在于,所述信号放大电路(2)采用信号放大晶体管(HBT2)共射极形式实现,包括扼流电感(L2)、第一电阻(R1)和信号放大晶体管(HBT2),其中:
扼流电感(L2)连接于信号放大晶体管(HBT2)的集电极,为信号放大晶体管(HBT2)进行供电,实现阻止交流信号泄露、导通直流电源信号的作用;
第一电阻(R1)是自偏置电阻,连接于信号放大晶体管(HBT2)的集电极与基极之间,利用第一电阻(R1)分压的作用实现对信号放大晶体管(HBT2)的合理偏置;
晶体管(HBT2)采用自偏置形式使其工作在导通状态实现对采集信号的放大。
5.根据权利要求1所述的用于功率放大器的自偏置功率检测电路,其特征在于,所述信号整形电路(3)包括采用二极管连接方式连接的晶体管(HBT3)和由第二电阻(R2)和第二电容(C2)构成的RC滤波电路两部分,其中:
采用二极管连接的方式使得晶体管(HBT3)在串联通路中起到二极管的作用,只导通半个周期的射频信号;
RC滤波电路则对半个周期的射频信号进行滤波,将高频谐波信号滤除输出平滑的电平信号。
6.根据权利要求5所述的用于功率放大器的自偏置功率检测电路,其特征在于,在所述信号整形电路(3)中,晶体管(HBT3)的基极与集电极短接在一起形成二极管结构的输入端,然后将其直接与信号放大晶体管(HBT2)的集电极相连接;晶体管(HBT3)的发射极再与一端接地的第二电阻(R2)和第二电容(C2)并联,输出的电平信号VDET能实时反映出功率放大器OUTPUT端输出功率的变化。
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