[发明专利]半导体发光元件和显示装置无效
| 申请号： | 201410054215.1 | 申请日： | 2014-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN104009392A | 公开（公告）日： | 2014-08-27 |
| 发明（设计）人： | 阿部博明 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 陈桂香;褚海英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 显示装置 | ||
1.一种半导体发光元件，其包括：
第一区域；以及
第二区域，所述第一区域和所述第二区域沿着光波导的延伸方向周期性地且交替地布置于所述光波导中，
其中，当用P1和P2分别表示所述第一区域的数量和所述第二区域的数量时，如果P1-P2=1，那么P2是2以上的整数，而如果P2-P1=1，那么P1是2以上的整数，并且
所述第一区域的有效折射率不同于所述第二区域的有效折射率。
2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，所述半导体发光元件出射两种类型的基横模的光。
3.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，当用L1表示所述第一区域的沿着所述光波导的所述延伸方向的长度，用λave表示将要出射的光的平均波长，用neff-1表示所述第一区域的所述有效折射率，并且用neff-2表示所述第二区域的所述有效折射率时，满足下面的方程式：
0.7×{λave/(neff-1-neff-2)}≤L1≤1.3×{λave/(neff-1-neff-2)}。
4.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，当用L1表示所述第一区域的沿着所述光波导的延伸方向的总长度，并且用L2表示所述第二区域的沿着所述光波导的延伸方向的总长度时，满足下面的方程式：
0.1≤L2/(L1+L2)≤0.4。
5.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，当用neff-1表示所述第一区域的所述有效折射率，并且用neff-2表示所述第二区域的所述有效折射率时，满足下面的方程式：
1×10-3≤(neff-1-neff-2)/neff-1≤1×10-2。
6.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中当用λmax表示将要从所述半导体发光元件出射的光的波长的最大峰值，并且用Δλ表示该光的波长宽度时，满足下面的方程式：
Δλ/λmax≥1.5×10-4。
7.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，
所述第一区域和所述第二区域形成一个脊部，并且
所述半导体发光元件还包括在所述第二区域附近的折射率控制区域，以使所述第二区域的所述有效折射率不同于所述第一区域的所述有效折射率。
8.根据权利要求7所述的半导体发光元件，其中，所述折射率控制区域每一者均包含用于减小折射率的物质。
9.根据权利要求8所述的半导体发光元件，其中，所述用于减小折射率的物质包括氧化锌。
10.根据权利要求7所述的半导体发光元件，其中，所述折射率控制区域每一者均包括金属膜。
11.根据权利要求10所述的半导体发光元件，其中，所述金属膜包括钛、铂或金。
12.一种半导体发光元件，其包括：
第一区域；以及
第二区域，所述第一区域和所述第二区域沿着光波导的延伸方向周期性地且交替地布置于所述光波导中，
其中，当用P1和P2分别表示所述第一区域的数量和所述第二区域的数量时，如果P1-P2=1，那么P2是2以上的整数，而如果P2-P1=1，那么P1是2以上的整数，并且
所述第一区域的宽度不同于所述第二区域的宽度。
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