[发明专利]检测方法、包括该方法的基板处理方法及基板处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造装置和利用该半导体制造装置的半导体制造方法，具体涉及利用等离子体的基板处理装置和利用该基板处理装置的基板处理方法。

背景技术

为了制造半导体元件而对基板实施光刻、蚀刻、灰化、注入离子、沉积薄膜以及清洗等多种工序，从而在基板上形成所需的图案。其中，蚀刻工序是去除形成在基板上的膜中被选择的区域的工序，其使用湿式蚀刻和干式蚀刻。

其中，利用等离子体的蚀刻装置用于干式蚀刻。通常，为了形成等离子体而在腔体的内部空间中形成电磁场，电磁场使向腔体内提供的处理气体激发为等离子体状态。

等离子体是指由离子或电子、自由基等构成的被离子化的气体状态。等离子体根据非常高的温度、强电场或高频电磁场（RF Electromagnetic Fields）而生成。在半导体元件制造工序中使用等离子体来实施蚀刻工序。蚀刻工序是通过等离子体所包含的离子粒子撞击基板而实施的。

通常，在利用等离子体的基板处理工序中，腔体状况（condition）因随着工序的进行而沉积在腔体内部的副产物而发生变化。并且，基于等离子体源（plasma source）产生的等离子体也可以根据工序而其状态不同。根据这种腔体内部的状况或等离子体的状况处理的基板产生不良等，可能会导致基板处理工序的可靠性产生问题。但是，不存在针对根据每实施工序时不同的腔体的状况或者等离子体的状况的标准化测量方法，从而存在不能进行准确的分析的问题。

发明内容

本发明的一目的在于，提供对在基板处理工序中发生变化的腔体内部的状况进行测量的基板处理方法及基板处理装置。

并且，本发明的一目的在于，对在基板处理工序中发生变化的等离子体的状况进行测量的基板处理方法及基板处理装置。

并且，本发明的一目的在于，提供根据所测量的腔体内部的状况和等离子体的状况能够提高基板处理工序的可靠性的基板处理方法及基板处理装置。

本发明所要解决的技术问题并不限于上述的问题，所属技术领域的技术人员能够根据本说明书和附图明确地理解未在上面说明的技术问题。

本发明提供检测方法。

在根据本发明的一实施例的检测方法，接受实施基板处理工序的腔体内部的光，并将所接受的光分析，以检测腔体内部状况。

能够从所接受的上述光中分析等离子体的信息来检测上述腔体内部状况。

上述等离子体可以从非活性气体激发成等离子体状态。

上述等离子体的信息可通过分析从上述光测量的第1线而被提供。

通过根据所接受的上述光分析被吸附到上述腔体内壁的副产物的信息来检测上述腔体内部状况。

上述副产物的信息可通过对从上述光测量而得的第2线进行分析而被提供。

可利用基于所接受的上述光的波长的光强度和提供给上述腔体内部的气体的量之比来检测上述腔体内部状况。

并且，本发明提供基板处理方法。

根据本发明的一实施例的基板处理方法包括：传送步骤，基板传送到腔体内部的处理空间；夹紧步骤，第1气体供给到上述处理空间并激发为等离子体状态，上述基板固定在支承部件上；基板处理步骤，第2气体供给到上述处理空间并激发为等离子体状态，对上述基板实施利用上述等离子体的工序；以及检测步骤，接受上述腔体内部的光并分析所接受的上述光从而检测上述腔体内部状况，在上述检测步骤中测量上述腔体内部状况，从而决定是否实施上述基板处理步骤。

上述检测步骤可在上述夹紧步骤中实施（完成）。

在上述检测步骤，可根据所接受的上述光分析上述等离子体的信息，由此检测上述腔体内部状况。

上述第1气体包含非活性气体，上述等离子体的信息可通过分析根据上述光测量的第1线来提供。

在上述检测步骤中，可通过根据所接受的上述光分析被吸附在上述腔体内壁的副产物的信息来检测上述腔体内部状况。

上述副产物的信息可通过分析根据上述光测量的第2线来提供。

上述第1气体包含非活性气体，在上述检测步骤中，可通过将分析根据所接受的上述光测量的第1线的上述等离子体的信息以及分析根据上述光测量的第2线的吸附在上述腔体内壁的副产物的信息综合来检测上述腔体内部状况。

在上述检测步骤中，当上述腔体内部状况不在已设定的范围的情况下，在上述基板处理步骤前还可以包括精密检测步骤，其在上述精密检测步骤中检测包括上述腔体的基板处理装置是否异常。