[发明专利]半导体存储器件及其编程方法

权利要求书

1.一种半导体存储器件的编程方法，所述编程方法包括以下步骤：

在至少一个编程循环中，

将第一编程脉冲施加至第一存储器单元组；

将第二编程脉冲施加至第二存储器单元组；以及

如果第一存储器单元组中的至少一个单元已经达到第一存储器单元组的目标电压电平，则判断所述第一存储器单元组中的第一快单元和第一慢单元，所述第一快单元具有高于验证电压的阈值电压，而所述第一慢单元具有低于验证电压的阈值电压，以及

在所述至少一个编程循环之后的编程循环中，

将所述第一编程脉冲增加了步进电压的第三编程脉冲施加至所述第一存储器单元组中的所述第一快单元；以及

将所述第二编程脉冲增加了所述步进电压的第四编程脉冲施加至所述第一存储器单元组中的所述第一慢单元和所述第二存储器单元组，

其中，第二存储器单元组的目标电压电平高于所述第一存储器单元组的目标电压电平，以及

所述验证电压低于所述第一存储器单元组的目标电压电平。

2.如权利要求1所述的编程方法，其中，所述第一存储器单元组和所述第二存储器单元组被编程至不同的目标电压电平。

3.如权利要求1所述的编程方法，其中，所述第二存储器单元组包括分别被编程至不同目标电压电平的多个单元。

4.如权利要求1所述的编程方法，其中，所述验证电压是所述第一编程脉冲与所述第二编程脉冲之间的差值。

5.如权利要求1所述的编程方法，其中，所述至少一个编程循环还包括以下步骤：

将第五编程脉冲施加至第三存储器单元组；以及

判断所述第二存储器单元组中的第二快单元和第二慢单元，以及

所述至少一个编程循环之后的编程循环还包括以下步骤：

将所述第五编程脉冲增加了所述步进电压的第六编程脉冲施加至所述第二存储器单元组中的所述第二慢单元和所述第三存储器单元组，

其中，将所述第四编程脉冲施加至所述第一存储器单元组中的所述第一慢单元和所述第二存储器单元组中的所述第二快单元。

6.一种半导体存储器件，包括：

存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括与多个字线耦接的多个存储器单元；以及

外围电路，被配置成：在编程操作期间，在至少一个编程循环中，将第一编程脉冲施加至与第一存储器单元组耦接的第一字线、将第二编程脉冲施加至与第二存储器单元组耦接的第二字线、以及如果第一存储器单元组中的至少一个单元已经达到第一存储器单元组的目标电压电平则判断所述第一存储器单元组中的第一快单元和第一慢单元，所述第一快单元具有高于验证电压的阈值电压，而所述第一慢单元具有低于验证电压的阈值电压，所述外围电路被配置成：在所述至少一个编程循环之后的编程循环中，将所述第一编程脉冲增加了步进电压的第三编程脉冲施加至所述第一字线之中的与所述第一快单元耦接的字线、以及将所述第二编程脉冲增加了所述步进电压的第四编程脉冲施加至所述第一字线之中的与所述第一慢单元耦接的字线和所述第二字线，

其中，第二存储器单元组的目标电压电平高于所述第一存储器单元组的目标电压电平，以及

所述验证电压低于所述第一存储器单元组的目标电压电平。

7.如权利要求6所述的半导体存储器件，其中，所述第一存储器单元组和所述第二存储器单元组被编程至不同的目标电压电平。

8.如权利要求6所述的半导体存储器件，其中，所述验证电压是所述第一编程脉冲与所述第二编程脉冲之间的差值。

9.如权利要求6所述的半导体存储器件，其中，所述外围电路在所述至少一个编程循环中将第五编程脉冲施加至与第三存储器单元组耦接的第三字线，以及判断所述第二存储器单元组中的第二快单元和第二慢单元，以及

所述外围电路将所述第五编程脉冲增加了所述步进电压的第六编程脉冲施加至所述第二字线之中的与所述第二慢单元耦接的字线和所述第三字线，以及在所述至少一个编程循环之后的编程循环中将所述第四编程脉冲施加至所述第一字线之中的与所述第一慢单元耦接的字线以及所述第二字线之中的与所述第二快单元耦接的字线。