[发明专利]一种射频功率检测电路在审
申请号: | 201410054571.3 | 申请日: | 2014-02-18 |
公开(公告)号: | CN104849543A | 公开(公告)日: | 2015-08-19 |
发明(设计)人: | 郭瑞;陈春青;王统;杨浩 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | G01R21/00 | 分类号: | G01R21/00;H03F3/45;H03G3/30;H04B17/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 射频 功率 检测 电路 | ||
1.一种射频功率检测电路,其特征在于,该射频功率检测电路包括偏置电路(1)、整流电路(2)和直流电压放大电路(3),输入射频信号为RFIN,输出检测电压VOUT,其中:
偏置电路(1),用于确定整流电路(2)的静态工作点;
整流电路(2),用于将射频信号转变为直流电压信号;
直流电压放大电路(3),用于对直流电压信号进行放大处理,使得输出检测电压范围满足指标要求。
2.根据权利要求1所述的射频功率检测电路,其特征在于,所述偏置电路(1)由第一电阻(R1)、第一晶体管(Q1)、第二晶体管(Q2)构成,其中:
第一电阻(R1)和第一晶体管(Q1)、第二晶体管(Q2)形成串联分压关系,共同确定了输出电压,使得整流电路(2)中第一二极管(D1)处于正向导通状态;第一电阻(R1)的一端连接电源(VCC),另一端连接第一晶体管(Q1)的基极、集电极和整流电路(2);第一晶体管(Q1)发射极连接至第二晶体管(Q2)的基极和集电极,第二晶体管(Q2)的发射极接地。
3.根据权利要求1所述的射频功率检测电路,其特征在于,所述整流电路(2)由第一电容(C1)、第二电容(C2)、第一二极管(D1)、第二电阻(R2)构成,其中,第一电容(C1)具有耦合射频信号和隔直的作用;第一二极管(D1)对射频信号进行整流;第二电阻(R2)和第二电容(C2)对整流后的射频信号做低通滤波,形成直流电压,为直流电压放大电路提供静态偏置点,使得第三晶体管(Q3)工作在放大区。
4.根据权利要求3所述的射频功率检测电路,其特征在于,所述第一电容(C1)的一端与输射频入信号(RFIN)相连接,另一端与第一二极管(D1)的正极和偏置电路相连接;第一二极管(D1)负极与第二电阻(R2)一端相连接,第二电阻(R2)的另一端接地;第二电容(C2)一端接地,另一端与第一二极管(D1)负极和直流电压放大电路相连接。
5.根据权利要求1所述的射频功率检测电路,其特征在于,所述直流电压放大电路(3)由第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第三晶体管(Q3)、第四晶体管(Q4)连接构成,其中:第三晶体管(Q3)放大了整流电路的输出直流电压;第三电阻(R3)和第三晶体管(Q3)共同确定了第四晶体管(Q4)的静态工作点;第四晶体管(Q4)进一步做了直流电压放大;第四电阻(R4)和第四晶体管(Q4)共同确定了输出直流电压的偏置点。
6.根据权利要求5所述的射频功率检测电路,其特征在于,所述第三晶体管(Q3)的基极与整流电路的输出相连接,发射极接地,集电极通过第三电阻(R3)连接至电源(VCC),同时集电极也与第四晶体管(Q4)的基极相连接;第三电阻(R3)串联在第三晶体管(Q3)的集电极和电源(VCC)之间;第四晶体管(Q4)的发射极接地,集电极通过第四电阻(R4)连接至电源(VCC),同时集电极连接至直流电压放大其的输出;第四电阻(R4)串联在第四晶体管(Q4)的集电极和电源(VCC)之间。
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