[发明专利]一种半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成无定型碳层、硬掩膜层、牺牲材料层和具有腔室图案的光刻胶层，所述牺牲材料层的构成材料为锗；

以所述光刻胶层为掩膜，实施第一蚀刻以蚀刻所述牺牲材料层，直至露出所述硬掩膜层；

以所述光刻胶层和经过所述第一蚀刻的牺牲材料层为掩膜，实施第二蚀刻以蚀刻所述硬掩膜层，直至露出所述无定型碳层；

对所述光刻胶层实施固化处理；

以经过所述第一蚀刻的牺牲材料层和经过所述第二蚀刻的硬掩膜层为掩膜，实施第三蚀刻以蚀刻所述无定型碳层，直至露出所述半导体衬底，以在所述无定型碳层中形成腔室，同时一并去除所述光刻胶层；

对所述半导体衬底依次实施干法清洗和湿法清洗；

实施第四蚀刻，以去除所述牺牲材料层和残留在所述牺牲材料层的表面上的由前述蚀刻所产生的蚀刻副产物。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬掩膜层的厚度为300-500埃，所述牺牲材料层的厚度为1000-2000埃。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一蚀刻以Cl₂、HBr、CF₄和O₂为基础蚀刻气体。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二蚀刻以CHF₃、CF₄和Ar为基础蚀刻气体.

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述固化处理采用的处理气体以Ar和O₂为基础气体，其中，Ar和O₂的流量比为15:1。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述固化处理采用范围为200-350W的低源功率，以确保后续实施所述第三蚀刻时产生的蚀刻副产物不影响形成的所述腔室的侧壁轮廓，避免所述蚀刻副产物进入所述光刻胶层而影响所述第三蚀刻对所述光刻胶层的去除效果。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第三蚀刻以O₂和Ar为基础蚀刻气体，采用范围为250-400W的高偏置功率来增大离子能量以减少所述第三蚀刻所产生的蚀刻副产物的残留。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述干法清洗采用的清洗气体以Ar和O₂为基础气体，其中，Ar和O₂的流量比为15:1。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述干法清洗采用范围为200-350W的低源功率，以去除所述第三蚀刻所产生的蚀刻副产物的一部分。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述湿法清洗采用的清洗剂为BOE溶液，以去除所述第三蚀刻所产生的蚀刻副产物的其余部分。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第四蚀刻为湿法蚀刻，采用的腐蚀液为热双氧水，温度为80-100℃。