[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、液晶显示面板有效
申请号: | 201410055293.3 | 申请日: | 2014-02-18 |
公开(公告)号: | CN103838043A | 公开(公告)日: | 2014-06-04 |
发明(设计)人: | 崔贤植;李会;方正;王海燕;田允允 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/1368;G02F1/1333;G02F1/1335;G02F1/133;H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 液晶显示 面板 | ||
1.一种阵列基板,包括阵列排布的多个像素单元,每个所述像素单元包括反射区和透射区;其特征在于,
针对任一个像素单元,所述阵列基板包括衬底基板、设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管、以及相互电连接的反射电极和第一透明电极;
在所述反射电极和所述第一透明电极之间还设置第一有机透明绝缘层,且所述反射电极位于所述第一有机透明绝缘层靠近所述衬底基板的一侧;
其中,所述反射电极位于所述反射区,所述第一透明电极位于所述透射区。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述反射区与所述薄膜晶体管的位置对应。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一透明电极通过设置在所述第一有机透明绝缘层中的过孔与所述反射电极接触。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述反射电极和所述第一透明电极与所述薄膜晶体管的漏极电连接。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括设置在所述薄膜晶体管与所述反射电极之间的第二有机透明绝缘层;
其中,所述反射电极通过设置在所述第二有机透明绝缘层中的过孔与所述漏极接触。
6.根据权利要求1至5任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括依次设置在所述第一透明电极上方的钝化层和第二透明电极;
其中,在所述反射电极和所述第一透明电极与所述薄膜晶体管的漏极之间无电连接的情况下,所述第二透明电极与所述漏极电连接。
7.一种液晶显示面板,包括对盒成型的阵列基板和彩膜基板,以及位于两基板之间的液晶层;其特征在于,所述阵列基板为权利要求1至6任一项所述的阵列基板。
8.根据权利要求7所述的液晶显示面板,其特征在于,所述液晶显示面板还包括设置在所述阵列基板背离所述液晶层一侧的第一偏光片以及设置在所述彩膜基板背离所述液晶层一侧的第二偏光片,所述第一偏光片和所述第二偏光片的透过轴相互垂直;
其中,所述第一偏光片还包括内置的第一λ/4相位延迟膜;所述第二偏光片还包括内置的第二λ/4相位延迟膜。
9.根据权利要求7所述的液晶显示面板,其特征在于,与所述阵列基板的透射区对应的液晶层厚度等于与所述阵列基板的反射区对应的液晶层厚度。
10.一种阵列基板的制备方法,包括形成阵列排布的多个像素单元,每个所述像素单元包括反射区和透射区;其特征在于,
针对任一个像素单元,所述方法包括:在衬底基板上形成薄膜晶体管、相互电连接的反射电极和第一透明电极、以及位于所述反射电极和所述第一透明电极之间的第一有机透明绝缘层;
其中,所述反射电极位于所述第一有机透明绝缘层的下方,所述第一透明电极位于所述第一有机透明绝缘层的上方;
所述反射电极形成在所述反射区,所述第一透明电极形成在所述透射区。
11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,所述反射区与所述薄膜晶体管的位置对应。
12.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,所述第一透明电极通过形成在所述第一有机透明绝缘层中的过孔与所述反射电极接触。
13.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,所述反射电极和所述第一透明电极与所述薄膜晶体管的漏极电连接。
14.根据权利要求13所述的方法,其特征在于,所述方法还包括在所述薄膜晶体管与所述反射电极之间形成第二有机透明绝缘层;
其中,所述反射电极通过形成在所述第二有机透明绝缘层中的过孔与所述漏极接触。
15.根据权利要求10至14任一项所述的方法,其特征在于,所述方法还包括在所述第一透明电极上方依次形成钝化层和第二透明电极;
其中,在所述反射电极和所述第一透明电极与所述薄膜晶体管的漏极之间无电连接的情况下,所述第二透明电极与所述漏极电连接。
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