[发明专利]金属层致能定向自组装半导体布局设计

权利要求书

1.一种用于形成半导体装置的方法，包括：

通过定向自组装(DSA)形成预图案晶体管布局；

在该定向自组装预图案晶体管布局上方形成金属层，包括：

形成多个水平金属线；及

形成多个垂直金属段，其与相邻的水平金属线不连续且于该相邻的水平金属线之间，且该多个垂直金属段与该相邻的水平金属线不重叠；

形成一或多个桥接点，每一桥接点连接该多个水平金属线的一个至该多个垂直金属段的一个；以及

透过使用圆柱及/或球体形成团联共聚物的定向自组装石墨磊晶，在该金属层之上形成所述桥接点，

其中，所述桥接点的位置决定所产生的晶体管胞元的逻辑功能。

2.根据权利要求1所述的方法，包括：

该多个水平金属线是将该晶体管布局分成p型场效晶体管(p-FET)区域、n型场效晶体管(n-FET)区域、以及输入/输出区域。

3.根据权利要求1所述的方法，更包括：

将该多个水平金属线分成至少四个水平金属线的群组，每一群组包括电源线与接地线、以及其间的晶胞内绕线与输出金属线。

4.根据权利要求3所述的方法，包括：

在该晶体管布局中的p型场效晶体管/n型场效晶体管区域的相对侧上形成该电源线与该输出金属线；以及

在该晶体管布局中的n型场效晶体管/p型场效晶体管区域的相对侧上形成该接地线与该晶胞内绕线。

5.根据权利要求1所述的方法，包括：

形成该多个垂直金属段的第一行，其对准该晶体管布局内的栅极；以及

形成该多个垂直金属段的第二行在该第一行的相对侧上且与该第一行相邻，该第二行的所述垂直金属段在该晶体管布局内并未对准所述栅极。

6.根据权利要求1所述的方法，包括：

透过使用晶板形成团联共聚物的定向自组装化学磊晶，形成该多个水平金属线与该多个垂直金属段。

7.根据权利要求1所述的方法，包括：

通过超高分辨率微影技术在该金属层内形成孔，所述孔对应于所述桥接点的所述位置；以及

使用金属填充所述孔，以在该金属层内形成所述桥接点。

8.一种半导体装置，包括：

预图案晶体管布局，其以定向自组装(DSA)形成；

金属层，其在该定向自组装预图案晶体管布局上方，包括：

多个水平金属线；及

多个垂直金属段，其与相邻的水平金属线不连续且于该相邻的水平金属线之间，且该多个垂直金属段与该相邻的水平金属线不重叠；以及

一或多个桥接点，每一个连接该多个水平金属线的一个至该多个垂直金属段的一个；

其中，所述桥接点的位置决定所产生的晶体管胞元的逻辑功能。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，包括：

该多个水平金属线，其将该晶体管布局分成p型场效晶体管(p-FET)区域、n型场效晶体管(n-FET)区域、以及输入/输出区域。

10.根据权利要求8所述的半导体装置，更包括：

该多个水平金属线，其被分成至少四个水平金属线的群组，每一群组包括电源线与接地线、以及其间的晶胞内绕线及输出金属线。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，包括：

该电源线与该输出金属线，是在该晶体管布局中p型场效晶体管/n型场效晶体管区域的相对侧上；以及

该接地线与该晶胞内绕线，是在该晶体管布局中n型场效晶体管/p型场效晶体管区域的相对侧上。

12.根据权利要求8所述的半导体装置，包括：

该多个垂直金属段的第一行，其对准在该晶体管布局内的栅极；以及

该多个垂直金属段的第二行，其在该第一行的相对侧上且与该第一行相邻，所述第二行的所述垂直金属段在该晶体管布局内并未对准所述栅极。

13.根据权利要求8所述的半导体装置，包括：

该多个水平金属线与该多个垂直金属段，是透过使用晶板形成团联共聚物的定向自组装化学磊晶而形成。