[发明专利]反激变换器及供电系统

权利要求书

1.一种反激变换器，包括原边电路和副边电路，其特征在于，所述副边电路至少包括两路输出电路，其中每路输出电路包括第一副边绕组(N_S)、第二副边绕组(L_S)、副边绕组输出漏感(L_Sσ)、串联电感(L)、整流管(D_S)、输出电容(C_S)以及电阻(R_L)，所述每路输出电路中第一副边绕组(N_S)、第二副边绕组(L_S)、副边绕组输出漏感(L_Sσ)、串联电感(L)、整流管(D_S)与输出电容(C_S)串联，所述输出电容(C_S)与所述电阻(R_L)并联，所述电阻(R_L)一端连接输出电压(V_o)，所述电阻(R_L)另一端接地，所述每路输出电路之间的串联电感(L)为磁集成结构，所述磁集成结构的电感(L)与各副边绕组的漏感(L_Sσ)连接；

若存在两路输出电路的输出电压(V_o)共地，且所述两路输出电路中第一路输出电路的输出电压(V_o)高于第二路输出电路的输出电压(V_o)，则将所述第一路输出电路的第一副边绕组(N_S)负端连接至所述第二路输出电路的整流管(D_S)的阴极，以使用直流叠加技术省去所述第一路输出电路的串联电感(L)。

2.根据权利要求1所述的反激变换器，其特征在于，所述原边电路是有源箝位电路，包括原边绕组(N_P)、原边电感(L_P)、原边漏感(L_Pσ)、第一开关管(S_P1)、第二开关管(S_P2)、电容(C_P)、第一整流管(D_P1)、第二整流管(D_P2)以及电阻(R)，所述第二开关管(S_P2)与所述第二整流管(D_P2)并联后与电容(C_P)串联组成有源箝位电路，所述原边绕组(N_P)、原边电感(L_P)以及原边漏感(L_Pσ)串联再与所述有源箝位电路并联后，一端接入输入电压(V_in)，一端依次与所述第一开关管(S_P1)与所述第一整流管(D_P1)并联后的电路以及电阻(R)串联。

3.根据权利要求1所述的反激变换器，其特征在于，所述原边电路是有源箝位电路，包括原边绕组(N_P)、原边电感(L_P)、原边漏感(L_Pσ)、第一开关管(S_P1)、第二开关管(S_P2)、电容(C_P)、第一整流管(D_P1)、第二整流管(D_P2)以及电阻(R)，所述第二开关管(S_P2)与第二整流管(D_P2)并联后与电容(C_P)串联组成有源箝位电路，所述第一开关管(S_P1)与第一整流管(D_P1)并联后与电阻(R)串联，再与所述有源箝位电路并联后依次与所述原边绕组(N_P)、原边电感(L_P)、原边漏感(L_Pσ)以及输入电压(V_in)串联。

4.根据权利要求2或3所述的反激变换器，其特征在于，所述第一开关管、所述第二开关管、所述第一整流管和所述第二整流管至少是下述一种类型：三极管、金属氧化物场效应晶体管MOSFET、或者绝缘栅双极型晶体管IGBT。