[发明专利]保护电路和包括保护电路的保护装置无效

专利信息
申请号: 201410056526.1 申请日: 2014-02-19
公开(公告)号: CN104348147A 公开(公告)日: 2015-02-11
发明(设计)人: 李明焕;洪玧锡 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: H02H9/04 分类号: H02H9/04
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人: 俞波;毋二省
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 保护 电路 包括 保护装置
【权利要求书】:

1.一种保护电路,包括:

高压检测单元,所述高压检测单元被配置成在第一电压超过预定电压时激活高压检测信号;以及

放电单元,所述放电单元响应于所述高压检测信号而与所述第一电压耦接,并且被配置成响应于通过将所述第一电压降低而获得的电压电平来将所述第一电压放电至接地电压。

2.如权利要求1所述的保护电路,其中,所述高压检测单元包括响应于所述第一电压而导通的、耦接在所述第一电压和所述接地电压之间的第一晶体管,并且响应于所述第一晶体管的导通操作而激活所述高压检测信号。

3.如权利要求1所述的保护电路,

其中,所述高压检测单元还包括串联耦接在所述第一电压和所述接地电压之间的第二晶体管和分压器,以及

其中,所述第一晶体管响应于通过所述分压器划分而被获得作为所述第一电压的电压来激活所述高压检测信号。

4.如权利要求3所述的保护电路,其中,所述第二晶体管相当于二极管接法的晶体管。

5.如权利要求3所述的保护电路,其中,所述高压检测单元还包括:

第三晶体管,所述第三晶体管耦接在所述第一晶体管与第一电压之间,并且被配置成响应于所述接地电压而导通。

6.如权利要求5所述的保护电路,其中,所述高压检测信号对应于在所述第三晶体管与所述第一晶体管之间的节点的电压。

7.如权利要求1所述的保护电路,其中,所述放电单元包括:

高压响应部,所述高压响应部被配置成响应于所述高压检测信号而提供所述第一电压;

一个或更多个降压元件,所述一个或更多个降压元件耦接在所述高压响应部与所述接地电压之间;以及

放电部,所述放电部被配置成响应于通过所述一个或更多个降压元件降低的所述第一电压而执行放电操作。

8.如权利要求7所述的保护电路,其中,所述高压响应部包括晶体管,所述晶体管响应于被激活的所述高压检测信号而将所述第一电压提供至所述一个或更多个降压元件。

9.如权利要求7所述的保护电路,

其中,所述一个或更多个降压元件被提供来自所述高压响应部的所述第一电压、将所述第一电压降低预设电压、并且提供降低的第一电压,以及

其中,所述一个或更多个降压元件经由一个或更多个电阻器元件与所述接地电压耦接。

10.如权利要求9所述的保护电路,其中,所述一个或更多个降压元件包括二极管接法的晶体管或二极管元件。

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