[发明专利]非蚀刻性光致抗蚀剂用附着力促进剂

权利要求书

1.一种非蚀刻性光致抗蚀剂用附着力促进剂，该促进剂包括由水溶性醇和水混合均匀配制而成的溶剂，其中水溶性醇占该溶剂总质量的50～95％，水占该溶剂总质量的5～50％，其特征在于：该促进剂还包括占该促进剂总质量0.05～1.0％且化学通式为(Ⅰ)的有机硅聚合物；

(R₃SiO_1/2)_a(R¹SiO_3/2)_b(R²SiO_3/2)_c(R³SiO_3/2)_d

(Ⅰ)

其中：

R为1～2个碳原子的烷烃基团，

R¹为含巯基的脂肪族基团或含巯基的芳香族基团；

R²为含芳胺基或含氮杂环的脂肪族基团；

R³为含乙烯基、丙烯酸酯基和甲基丙烯酸酯基中的一种的脂肪族基团；

且a＝0～0.8、b+c+d＝0.2～0.98、c＝0.2～0.88、d＝0.02～0.4，a+b+c+d＝1。

2.根据权利要求1所述非蚀刻性光致抗蚀剂用附着力促进剂，其特征在于：所述有机硅聚合物为R₃SiOX、R¹Si(OX)₃、R²Si(OX)₃和R³Si(OX)₃的混合物在酸性条件下水解得到的产物，其中X为1～6个碳原子的烷烃基。

3.根据权利要求2所述非蚀刻性光致抗蚀剂用附着力促进剂，其特征在于：所述X为甲基或乙基。

4.根据权利要求3所述非蚀刻性光致抗蚀剂用附着力促进剂，其特征在于：所述R₃SiOX为三甲基乙氧基硅烷和三甲基甲氧基硅烷中的一种。

5.根据权利要求2所述非蚀刻性光致抗蚀剂用附着力促进剂，其特征在于：所述R¹Si(OX)₃为γ-巯丙基三乙氧基硅烷、γ-巯丙基三甲氧基硅烷、双-[γ-(三乙氧基硅)丙基]四硫化物、双-[γ-(三甲氧基硅)丙基]四硫化物、双-[γ-(三乙氧基硅)丙基]-二硫化物和双-[γ-(三甲氧基硅)丙基]-二硫化物中的一种。

6.根据权利要求2所述非蚀刻性光致抗蚀剂用附着力促进剂，其特征在于：所述R²Si(OX)₃为N-[3-(三乙氧硅烷基)丙基]-4,5-双氢咪唑、3-(三甲氧基硅基)-丙氧基-2-羟丙基-1,3-二唑、对氨基苯基三甲氧基硅烷和5-(4(3-三甲氧基)丙氧基)苯基)-1H-四氮唑中的一种。

7.根据权利要求2所述非蚀刻性光致抗蚀剂用附着力促进剂，其特征在于：所述R³Si(OX)₃为γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷、γ-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷和γ-丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷中的一种。

8.根据权利要求4至7中任一权利要求所述非蚀刻性光致抗蚀剂用附着力促进剂，其特征在于：所述R₃SiOX为三甲基乙氧基硅烷，所述R¹Si(OX)₃为γ-巯丙基三乙氧基硅烷，所述R²Si(OX)₃为优选为3-(三甲氧基硅基)-丙氧基-2-羟丙基-1,3-二唑，所述R³Si(OX)₃为γ-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷。

9.根据权利要求1所述非蚀刻性光致抗蚀剂用附着力促进剂，其特征在于：所述水溶性醇为甲醇、乙醇、异丙醇和乙二醇中的一种。

10.根据权利要求1至9中任一权利要求所述的非蚀刻性光致抗蚀剂用附着力促进剂的应用，其特征在于：所述促进剂通过浸淋或喷淋方式中的一种施加至经预处理后的PCB铜层表面，其中PCB铜层表面的预处理为采用20～70ml/L的无机酸水溶液清洗。