[发明专利]半导体存储装置及闪存存储器的编程方法

权利要求书

1.一种闪存存储器的编程方法，所述闪存存储器包含存储器阵列，所述存储器阵列在第1导电型的第1半导体区域内形成有多个NAND型单元组，且所述闪存存储器的编程方法的特征在于，包含：

使包含编程单元的单元组与对应的位线电性分离，且使未包含编程单元的单元组电性耦合于对应的位线；

对所选择的字线施加编程电压，且对非选择的字线施加非选电压；

在施加所述编程电压的期间，使所述第1半导体区域内产生载子；及

对所述编程单元注入热载子，

其中在包含所述编程单元的所述单元组与对应的位线电性分离，且未包含所述编程单元的所述单元组电性耦合于对应的位线的情况下，进行所述对所选择的字线施加所述编程电压，且对非选择的字线施加所述非选电压的步骤、所述使所述第1半导体区域内产生所述载子的步骤以及所述注入所述热载子的步骤。

2.根据权利要求1所述的闪存存储器的编程方法，其特征在于，所述产生所述载子的步骤包含使所述第1半导体区域形成正向偏压。

3.根据权利要求2所述的闪存存储器的编程方法，其特征在于，所述形成正向偏压的步骤包含：

对所述第1半导体区域施加第1电压；以及

对形成在所述第1半导体区域内的第2半导体区域施加第2电压；

其中所述第2电压大于所述第1电压。

4.根据权利要求1所述的闪存存储器的编程方法，其特征在于，还包含：

于P型硅基板上形成所述第1半导体区域；以及

于所述第1半导体区中形成具有第2导电型的多个第2半导体区域；

其中所述第1导电型为N型，且所述第2导电型为P型。

5.根据权利要求4所述的闪存存储器的编程方法，其特征在于，对所述多个第2半导体区域中包含所述编程单元的所述第2半导体区域施加较所述第1半导体区域高的电位。

6.根据权利要求1所述的闪存存储器的编程方法，其特征在于，所述单元组的其中一端经由位线选择晶体管而连接于对应的位线，且另一端经由源极线选择晶体管而连接于源极线，包含所述编程单元的所述单元组是通过使所述位线选择晶体管及所述源极线选择晶体管为断开而与所述位线及所述源极线电性分离，未包含所述编程单元的所述单元组是通过使所述位线选择晶体管为接通而电性耦合于所述位线。

7.根据权利要求6所述的闪存存储器的编程方法，其特征在于，对包含所述编程单元的所述单元组对应的位线施加第1电位，对未包含所述编程单元的所述单元组对应的位线施加第2电位，对所述位线选择晶体管的栅极施加第3电位，且所述第1电位大于所述第2电位，所述第3电位位于所述第1电位与所述第2电位之间。

8.根据权利要求6所述的闪存存储器的编程方法，其特征在于，对所述源极线选择晶体管的扩散区域施加产生正向偏压的电压。

9.根据权利要求1所述的闪存存储器的编程方法，其特征在于，所述产生所述载子的期间根据所选择的字线的位置而改变。

10.根据权利要求9所述的闪存存储器的编程方法，其特征在于，所述产生所述载子的期间在所选择的字线的位置为第1临限值以下时为第1期间，而在所选择的字线的位置大于所述第1临限值时为较所述第1期间大的第2期间。

11.根据权利要求1所述的闪存存储器的编程方法，其特征在于，在所述编程单元的通道中形成有耗尽区域。