[发明专利]PNbZT铁电薄膜的制造方法和复合电子部件

权利要求书

1.一种PNbZT铁电薄膜的制造方法，其特征在于，

将用于形成由不含Nb的锆钛酸铅即PZT系复合钙钛矿膜构成的铁电薄膜的组合物涂布在形成于基板的下部电极上，预烧结后，进行烧成来使其结晶化，从而形成厚度45～90nm的结晶化促进层，

在所述形成的结晶化促进层上，涂布用于形成由锆铌钛酸铅即PNbZT系复合钙钛矿膜构成的铁电薄膜的组合物来形成PNbZT的涂膜，其中，在所述锆铌钛酸铅系复合钙钛矿膜中，与B位原子即Zr、Ti的总计100原子％中含有4～10原子％的Nb，

对所述涂膜进行预烧结后，进行烧成来使其结晶化，从而在所述下部电极上形成厚度为285～330nm的PNbZT铁电薄膜。

2.一种具有通过权利要求1所述的方法形成的PNbZT铁电薄膜的电容器、集成无源器件、晶体管的栅极绝缘体、非易失性存储器、热释电型红外线检测元件、压电元件、电气光学元件、执行器、谐振器、超声波马达、电气开关、光学开关或LC噪声过滤器元件的复合电子部件。

3.根据权利要求2所述的复合电子部件，其特征在于，

所述电容器为薄膜电容器、DRAM存储器用电容器或层叠电容器。