[发明专利]带有源应变源的GeSnn沟道隧穿场效应晶体管有效
| 申请号： | 201410057722.0 | 申请日： | 2014-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN103824885A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 刘艳;韩根全;王洪娟 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 重庆华科专利事务所 50123 | 代理人： | 康海燕 |
| 地址： | 400030 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有源 应变 gesnn 沟道 场效应 晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.一种带有源应变源的GeSn n沟道隧穿场效应晶体管，其特征在于，包括：
一n沟道（103），为GeSn单晶材料；
一绝缘介电质薄膜（105），位于沟道上；
一栅电极（104），位于所述绝缘介电质薄膜上；
一源极（101）和一漏极（106），均为单晶GeSn材料；
一源应变源（102），位于源极之上；
其中，源应变源的晶格常数比源极的晶格常数大，形成沿沟道方向的单轴压应变，沿垂直沟道的平面内形成双轴张应变。
2.如权利要求1所述的带有源应变源的GeSn n沟道隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述 n沟道的单晶GeSn材料通式为Ge1-xSnx，其中0≤x≤0.25。
3.如权利要求1所述的带有源应变源的GeSn n沟道隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述源极的单晶GeSn材料通式为Ge1-xSnx，其中0≤x≤0.25。
4.如权利要求2或3所述的带有源应变源的GeSn n沟道隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述源应变源采用的单晶半导体材料GeSn的通式为Ge1-ySny，其中0≤y≤0.25，y>x。
5. 如权利要求4任一项所述的带有源应变源的GeSn n沟道隧穿场效应晶体管，其特征在于，其中源应变源通过半导体外延生长的技术生长在源极区域。
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