[发明专利]磁控溅射镀膜系统

权利要求书

1.一种磁控溅射镀膜系统，其特征在于，包括成直线式排列的进片室、第一缓冲室、第一过渡室、溅射镀膜室、第二过渡室、第二缓冲室和出片室，所述溅射镀膜腔室包括依次连接的第一直流溅射室、第二直流溅射室、第三直流溅射室和第四直流溅射室，所述第一直流溅射室与所述第一过渡室连接，所述第四直流溅射室与所述第二过渡室连接，所述第一直流溅射室中设置有两个第一阴极靶，所述第二直流溅射室中设置有两个第二阴极靶，所述第三直流溅射室中设置有两个第三阴极靶，所述第四直流溅射室中设置有两个第四阴极靶。

2.根据权利要求1所述的磁控溅射镀膜系统，其特征在于，还包括十个加热装置，所述十个加热装置分别设置于进片室、第一缓冲室、第一过渡室、第一直流溅射室、第二直流溅射室、第三直流溅射室、第四直流溅射室、第二缓冲室、第二过渡室和出片室内部。

3.根据权利要求2所述的磁控溅射镀膜系统，其特征在于，每个所述加热装置包括三段式加热器及热反射板，所述三段式加热器包括第一加热段、第二加热段和第三加热段，所述第一加热段、第二加热段和第三加热段均设置于所述热反射板上，且所述热反射板竖直设置，所述第一加热段、第二加热段和第三加热段依次自上而下排列。

4.根据权利要求1所述的磁控溅射镀膜系统，其特征在于，还包括设置于所述第二直流溅射室和第三直流溅射室之间的隔离室。

5.根据权利要求1所述的磁控溅射镀膜系统，其特征在于，所述第一直流溅射室位于基片输送方向的左侧或右侧的室壁上开设有两个第一通孔，并设置有密封所述两个第一通孔的两个第一室门，所述两个第一阴极靶分别设置于所述两个第一室门的内壁上；所述第二直流溅射室位于基片输送方向的左侧或右侧的室壁上开设有两个第二通孔，并设置有密封所述两个第二通孔的两个第二室门，所述两个第二阴极靶分别设置于所述两个第二室门的内壁上；所述第三直流溅射室位于基片输送方向的左侧或右侧的室壁上开设有两个第三通孔，并设置有密封所述两个第三通孔的两个第三室门，所述两个第三阴极靶分别设置于所述两个第三室门的内壁上；所述第四直流溅射室位于基片输送方向的左侧或右侧的室壁上开设有两个第四通孔，并设置有密封所述两个第四通孔的两个第四室门，所述两个第四阴极靶分别设置于所述两个第四室门的内壁上。

6.根据权利要求1所述的磁控溅射镀膜系统，其特征在于，还包括导向装置，所述导向装置包括导向件、第一磁铁、第二磁铁和摩擦导轮组，所述导向件上开设有条形槽，所述第一磁铁和第二磁铁分别设置于所述条形槽的相对的两个槽壁上，所述导向件、第一磁铁和第二磁铁贯穿所述进片室、第一缓冲室、第一过渡室、第一直流溅射室、第二直流溅射室、第三直流溅射室、第四直流溅射室、第二过渡室、第二缓冲室和出片室，所述摩擦导轮组包括多个摩擦导轮，所述多个摩擦导轮与所述导向件相对、间隔设置，且所述摩擦导轮正对所述条形槽的开口端。

7.根据权利要求6所述的磁控溅射镀膜系统，其特征在于，所述导向装置还包括多个同步轮，每个所述同步轮与每个所述摩擦导轮连接并带动所述摩擦导轮转动。

8.根据权利要求1所述的磁控溅射镀膜系统，其特征在于，还包括抽真空装置、第一抽气管道、第二抽气管道和第三抽气管道，所述抽真空装置包括机械泵、罗茨泵和分子泵，所述第一抽气管道连通所述机械泵、进片室、第一缓冲室、第一过渡室、第一直流溅射室、第二直流溅射室、第三直流溅射室、第四直流溅射室、第二过渡室、第二缓冲室和出片室；所述第二抽气管道连通所述罗茨泵、进片室、第一缓冲室、第一过渡室、第一直流溅射室、第二直流溅射室、第三直流溅射室、第四直流溅射室、第二过渡室、第二缓冲室和出片室；所述第三抽气管道连通所述分子泵、第一直流溅射室、第二直流溅射室、第三直流溅射室和第四直流溅射室。