[发明专利]一种平面TEM样品的制备方法

权利要求书

1.一种平面TEM样品的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)提供一含有目标区域的样品，在距所述目标区域下方和一侧距离为d₁的位置分别做第一直线标记和第二直线标记，所述第一直线标记和所述第二直线标记相互垂直，且所述第一直线标记和所述第二直线标记的交点位于所述目标区域内；

2)在与所述目标区域上方距离为d₂的位置做第三直线标记；

3)在所述第三直线标记的一端、与目标区域最小距离为d₃的位置做等腰三角形标记；所述等腰三角形标记的高线与所述第三直线标记重合，且所述等腰三角形的顶角朝向所述第三直线标记；

4)沿所述高线与所述第三直线标记重合的位置将步骤3)所得到的样品进行截面切割；

5)接着在目标区域上方两侧、与所述目标区域最小距离为d₄的位置分别做第四直线标记和第五直线标记；

6)在步骤5)所得到的样品截面上沉积一层保护层；

7)将步骤6)所得到的的样品垂直放入FIB中进行平面TEM样品制备。

2.根据权利要求1所述的平面TEM样品的制备方法，其特征在于：步骤1)中所述第一直线标记和第二直线标的交点位于所述目标区域内。

3.根据权利要求1所述的平面TEM样品的制备方法，其特征在于：步骤1)中所述第一直线标记和第二直线标记与目标区域的距离d₁大于或等于2μm,；所述第一直线标记的长度L₁和第二直线标记的长度L₂均大于或等于1μm。

4.根据权利要求1所述的平面TEM样品的制备方法，其特征在于：步骤2)中所述第三直线标记为水平直线。

5.根据权利要求1所述的平面TEM样品的制备方法，其特征在于：步骤2)中所述第三直线标记与目标区域的距离d₂小于或等于2μm,；所述第三直线标记的长度L₃大于或等于2μm；所述第三直线标记的深度为2μm～10μm。

6.根据权利要求1所述的平面TEM样品的制备方法，其特征在于：步骤3)中所述等腰三角形标记与目标区域的最小距离d₃大于或等于2μm。

7.根据权利要求1所述的平面TEM样品的制备方法，其特征在于：步骤3)中所述等腰三角形标记的顶角位于第三直线标记的一端。

8.根据权利要求1所述的平面TEM样品的制备方法，其特征在于：步骤3)中所述等腰三角形标记顶角的角度为20～120°；所述等腰三角形标记的底边长度L₄大于或等于1μm；所述等腰三角形标记的深度为2μm～10μm。

9.根据权利要求1所述的平面TEM样品的制备方法，其特征在于：步骤4)中所述截面切割在微切割机台上进行；截面切割的切割线与第三直线标记重合。

10.根据权利要求1所述的平面TEM样品的制备方法，其特征在于：步骤5)中所述第四直线标记和第五直线标记与目标区域的最小距离d₄大于或等于2μm；所述第四直线标记和第五直线标记的深度均大于或等于1μm。

11.根据权利要求1所述的平面TEM样品的制备方法，其特征在于：步骤5)中所述第四直线标记和第五直线标记以目标区域相对称。

12.根据权利要求1所述的平面TEM样品的制备方法，其特征在于：步骤5)中所述第四直线标记和第五直线标记远离目标区域的一端与所述截面相交。

13.根据权利要求1所述的平面TEM样品的制备方法，其特征在于：步骤6)中所述保护层为铂层。

14.根据权利要求1所述的平面TEM样品的制备方法，其特征在于：步骤6)中所述保护层覆盖所述第四直线标记和第五直线标记之间的整个区域。