[发明专利]一种以胶体NiO纳米晶薄膜为空穴传输层的光电器件及其制备方法

权利要求书

1.一种以胶体NiO纳米晶薄膜为空穴传输层的光电器件，所述的光电器件由下至上依次为阳极、空穴传输层、活性层、电子传输层和阴极，其特征在于，所述的空穴传输层为胶体NiO纳米晶薄膜。

2.一种如权利要求1所述的光电器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）将胶体NiO纳米晶与有机溶剂混合，配置浓度为10～80mg/ml的胶体NiO纳米晶溶液，将所述胶体NiO纳米晶溶液涂覆在衬底上，经空气中退火、臭氧处理，在衬底上形成胶体NiO纳米晶薄膜；

2）在步骤1）制备的胶体NiO纳米晶薄膜上依次制备活性层、电子传输层和阴极，得到所述的光电器件。

3.如权利要求2所述的光电器件的制备方法，其特征在于，步骤1）所述的胶体NiO纳米晶的制备步骤如下：

（1）将羧酸镍、保护配体、醇和有机溶剂混合后置于反应器中，在惰性保护气氛下搅拌并抽真空；

所述的羧酸镍与保护配体的摩尔比为1～10：1；

所述羧酸镍的浓度为0.05～0.1mol/L；

（2）将反应器中的混合物加热到100～350℃，反应后经冷却、沉淀剂沉淀、提纯处理，得到所述的胶体NiO纳米晶；

所述的羧酸镍具有如式（I）所示的通式：

(R₁-COO)₂Ni（Ⅰ），

所述的保护配体具有如式（Ⅱ）所示的通式：

(R₂-COO)_nM（Ⅱ），

其中，R₁与R₂独立地选自H、C₂～C₃₀烃基或芳基，所述Mⁿ⁺与羧酸根结合形成的羧酸盐的反应活性低于羧酸镍，n为羧酸根数。

4.如权利要求3所述的光电器件的制备方法，其特征在于，所述的保护配体为脂肪酸锂、脂肪酸钠或脂肪酸钾；所述的脂肪酸根为硬脂酸根或油酸根。

5.如权利要求3或4所述的光电器件的制备方法，其特征在于，所述的醇为C₁₂～C₂₈的烷基醇；所述的有机溶剂为1-十八烯、正辛醚或二苯醚；

所述的羧酸镍与醇的摩尔比为1：1～10。

6.如权利要求2所述的光电器件的制备方法，其特征在于，步骤1）所述的胶体NiO纳米晶溶液通过旋涂、印刷或卷对卷工艺涂覆在衬底上。

7.如权利要求2所述的光电器件的制备方法，其特征在于，步骤2）所述活性层的制备步骤为：

配置浓度为5～40mg/ml的活性材料溶液，将所述活性材料溶液涂覆到胶体NiO纳米晶薄膜上，在NiO纳米晶薄膜上形成活性层。

8.如权利要求2所述的光电器件的制备方法，其特征在于，所述的电子传输层为ZnO薄膜。

9.如权利要求2所述的光电器件的制备方法，其特征在于，所述的衬底为ITO/玻璃衬底或ITO/PET衬底；所述的阴极为金属Al、Ag或Au。