[发明专利]电熔丝及制造电熔丝的方法

权利要求书

1.一种结构，包括：

在电介质层中形成的沟槽；及

熔丝，所述熔丝包括：

位于所述沟槽的侧壁和底部上的导电且保形的衬垫；

位于所述保形的衬垫上的铜层，其中，所述沟槽的下部中位于所述沟槽的所述底部之上的所述铜层的第一厚度大于所述沟槽的邻接的上部中位于所述沟槽的所述侧壁之上的所述铜层的第二厚度；及

所述沟槽中位于所述铜层上的电介质材料，所述电介质材料填充所述沟槽的所述上部中的剩余空间。

2.如权利要求1所述的结构，其中所述熔丝的顶表面与所述电介质层的顶表面共面。

3.如权利要求1所述的结构，其中所述熔丝不完全延伸通过所述电介质层。

4.如权利要求1所述的结构，其中所述电介质层在半导体衬底之上形成。

5.如权利要求1所述的结构，还包括：

在下部电介质层中形成的下部镶嵌导线，所述下部电介质层位于半导体衬底和所述电介质层之间并且邻接所述电介质层的底表面，所述熔丝的底表面邻接所述下部镶嵌导线的顶表面；及

在上部电介质层中形成的上部镶嵌导线，所述上部电介质层邻接所述电介质层的顶表面，所述熔丝的顶表面邻接所述上部镶嵌导线的底表面。

6.如权利要求1所述的结构，还包括：

位于半导体衬底和所述电介质层之间并且邻接所述电介质层的底表面的下部电介质层，所述熔丝的底表面邻接所述下部电介质层的顶表面；

在上部电介质层中形成的第一上部镶嵌导线，所述上部电介质层邻接所述电介质层的顶表面，所述熔丝的顶表面的第一区域邻接所述第一上部镶嵌导线的底表面；及

在所述上部电介质层中形成的第二上部镶嵌导线，所述熔丝的所述顶表面的第二且不同的区域邻接所述第二上部镶嵌导线的底表面。

7.如权利要求1所述的结构，还包括：

在半导体衬底中形成的沟槽隔离的岛，所述沟槽隔离和所述半导体衬底的顶表面共面并且邻接所述电介质层的下表面，所述熔丝的底表面邻接所述沟槽隔离的顶表面；

在上部电介质层中形成的第一上部镶嵌导线，所述上部电介质层邻接所述电介质层的顶表面，所述熔丝的顶表面的第一区域邻接所述第一上部镶嵌导线的底表面；及

在所述上部电介质层中形成的第二上部镶嵌导线，所述熔丝的所述顶表面的第二且不同的区域邻接所述第二上部镶嵌导线的底表面。

8.如权利要求1所述的结构，还包括：

在上部电介质层中形成的第一上部镶嵌导线，所述上部电介质层邻接所述电介质层的顶表面，所述熔丝的顶表面的第一区域邻接所述第一上部镶嵌导线的底表面；

在所述上部电介质层中形成的第二上部镶嵌导线，所述熔丝的所述顶表面的第二且不同的区域邻接所述第二上部镶嵌导线的底表面；及

其中所述熔丝的顶表面与所述电介质层的所述顶表面共面并且所述熔丝不完全延伸通过所述电介质层。

9.如权利要求1所述的结构，其中所述衬垫包括一层Co、Ru、Ir、Rh、Pt或Ta。

10.如权利要求1所述的结构，其中衬垫包括给所述沟槽的侧壁和底部加衬的第一层TaN、TiN、W(N)或RuTa(N)以及在所述第一层上的第二层Co、Ru、Ir、Rh、Pt或Ta。

11.如权利要求1所述的结构，其中所述电介质材料具有大约3.0或更小的相对介电常数或者是多孔电介质材料。

12.如权利要求1所述的结构，其中所述第二厚度在大约1nm和大约5nm之间。

13.一种方法，包括：

形成在电介质层中形成的沟槽；及

在所述电介质层中形成熔丝，所述熔丝包括：

位于所述沟槽的侧壁和底部上的导电且保形的衬垫；

位于所述保形的衬垫上的铜层，其中，所述沟槽的下部中位于所述沟槽的所述底部之上的所述铜层的第一厚度大于所述沟槽的邻接的上部中位于所述沟槽的所述侧壁之上的所述铜层的第二厚度；及

所述沟槽中位于所述铜层上的电介质材料，所述电介质材料填充所述沟槽的所述上部中的剩余空间。

14.如权利要求13所述的方法，其中所述熔丝的顶表面与所述电介质层的顶表面共面。