[发明专利]电容传感阵列的交错传感元件有效

专利信息
申请号: 201410059182.X 申请日: 2014-02-21
公开(公告)号: CN104423758A 公开(公告)日: 2015-03-18
发明(设计)人: 欧勒山德·霍斯塔纳;伊戈尔·克拉维茨 申请(专利权)人: 赛普拉斯半导体公司
主分类号: G06F3/044 分类号: G06F3/044
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人: 周靖;郑霞
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 电容 传感 阵列 交错 元件
【权利要求书】:

1.一种电容传感阵列,包括:

第一电极;和

第二电极,所述第二电极被布置成在第一轴线上与所述第一电极相邻,其中所述电容传感阵列包括在所述第一轴线上的传感器间距,

其中所述第一电极包括:

第一传感元件,所述第一传感元件包括第一形状;和

第一交错传感元件,其中所述第一交错传感元件被布置成与所述第二电极的第一部分和第二部分交错,以将所述第一电极的第一尺寸延伸为大于在所述第一轴线上的所述传感器间距,

其中所述第二电极包括:

第二传感元件,所述第二传感元件包括所述第一形状;和

第二交错传感元件,其中所述第二交错传感元件被布置成与所述第一电极的第一部分和第二部分交错,以将所述第二电极的第二尺寸延伸为大于在所述第一轴线上的所述传感器间距。

2.根据权利要求1所述的电容传感阵列,其中所述第一传感元件和所述第一交错传感元件包括相同的表面面积。

3.根据权利要求1所述的电容传感阵列,其中被所述第一电极的最大宽度和所述第一电极的最大高度界定的面积至少是所述第一尺寸和所述第二尺寸的乘积的两倍。

4.根据权利要求1所述的电容传感阵列,其中所述第一交错传感元件包括:

基础部分;

连接线;和

延伸部分,所述延伸部分通过所述连接线被耦合到所述基础部分,其中所述延伸部分被布置成与所述第二电极的部分交错。

5.根据权利要求4所述的电容传感阵列,其中所述第一形状是实心菱形,且其中所述延伸部分包括比所述第一形状小的菱形形状。

6.根据权利要求1所述的电容传感阵列,其中所述第一电极和所述第二电极是在所述第一轴线上的第一组电极的一部分,且其中所述电容传感阵列还包括布置在第二轴线上的第二组电极,

其中所述第二组电极中的至少一个电极包括:

第三传感元件,所述第三传感元件包括第三形状;和

第三交错传感元件,其中所述第三交错传感元件与所述第二组电极中的另一个电极的第一部分和第二部分交错,以将所述第二组电极中的所述至少一个电极的第三尺寸延伸为大于所述电容传感阵列在所述第二轴线上的第二传感器间距。

7.根据权利要求6所述的电容传感阵列,其中所述第一组电极与所述第二组电极交叉以形成多个单位单元,每个单位单元对应于包括来自所述第一组电极的一个电极和来自所述第二组电极的一个电极的一对电极的交叉部。

8.根据权利要求6所述的电容传感阵列,其中所述第一组电极包括修改的双实心菱形DSD样式,其中所述修改的DSD样式包括:

第一系列互相连接的电极,所述第一系列互相连接的电极包括第一菱形形状元件和在第一侧上与所述第二电极的部分交错的第一交错元件;

第二系列互相连接的电极,所述第二系列互相连接的电极包括第二菱形形状元件和在第二侧上与第三电极的部分交错的第二交错元件。

9.根据权利要求1所述的电容传感阵列,其中所述第一电极和所述第二电极是在所述第一轴线上的第一组电极的一部分,且其中电容传感阵列还包括布置在第二轴线上的第二组电极,且其中所述第一组电极和所述第二组电极被布置在单一层中。

10.根据权利要求9所述的电容传感阵列,其中所述第一组电极和所述第二组电极包括用于在所述单一层中交错的涡旋区域。

11.根据权利要求10所述的电容传感阵列,其中所述涡旋区域包括方形涡旋区域、三角形涡旋区域或扇形涡旋区域中的至少一个。

12.根据权利要求1所述的电容传感阵列,其中所述第一尺寸大于在所述第一轴线上的所述传感器间距两倍或以上。

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