[发明专利]电子照相感光构件、其制造方法和电子照相设备

权利要求书

1.一种负带电用的电子照相感光构件，其包括：导电性基体；在所述导电性基体上的由氢化非晶硅形成的光导电层；和在所述光导电层上的由氢化非晶碳化硅形成的表面层，其中

所述表面层具有碳原子数(C)相对于硅原子数(Si)与碳原子数(C)之和的比例(C/(Si+C))由所述光导电层侧朝向所述电子照相感光构件的表面侧逐渐增加的变化区域，

所述变化区域具有包含第13族原子的上部电荷注入阻止部分，和位于比所述上部电荷注入阻止部分更靠近所述电子照相感光构件的表面侧的位置且不含第13族原子的表面侧部分，和

当用以下评价方法A评价所述表面侧部分与所述上部电荷注入阻止部分之间的边界部分中第13族原子的分布的急剧性时，所述急剧性满足以下表达式(A7)表示的关系，其中

第13族原子的分布的急剧性的评价方法A包括以下步骤：

(A1)通过SIMS分析得到所述电子照相感光构件的表面的深度轮廓；

(A2)在所述深度轮廓中，使D表示距所述电子照相感光构件的表面的距离，使距离D的函数f(D)表示在距离D处第13族原子的离子强度，使f(D_MAX)表示f(D)的最大值，使f″(D)表示f(D)的二阶微分，使D_A表示当D朝向所述光导电层增加时f″(D)由f″(D)=0变为f″(D)<0的点距离所述电子照相感光构件的表面的距离，和使D_B表示f″(D)随后由f″(D)<0变为f″(D)=0的点距离所述电子照相感光构件的表面的距离；

(A3)使Ds表示：当从所述电子照相感光构件的表面观察所述上部电荷注入阻止部分时，在满足f((D_A+D_B)/2)≥f(D_MAX)×0.5的距离D中的第一距离，和

使基准离子强度f(Ds)表示在距离Ds处第13族原子的离子强度f(D)；

(A4)使急剧性ΔZ表示沿所述边界部分的厚度方向的长度，其中当从所述电子照相感光构件的表面观察并将基准离子强度f(Ds)确定为100%时，所述表面侧部分与所述上部电荷注入阻止部分之间的边界部分中第13族原子的离子强度由16%增加至84%；

(A5)制作基准层压膜A，其具有依次堆叠的具有对应于所述上部电荷注入阻止部分的组成的膜A₁和具有对应于所述表面侧部分的组成的膜A₂；

(A6)相对于所述基准层压膜A，将膜A₂的表面确定为所述基准层压膜A的表面，和采用与步骤(A1)-(A4)类似的步骤确定在所述基准层压膜A的所述膜A₂与所述膜A₁之间的边界部分中的急剧性ΔZ₀；和

(A7)确定1.0≤ΔZ/ΔZ₀≤3.0   (A7)。

2.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中在所述变化区域中碳原子数(C)相对于硅原子数(Si)与碳原子数(C)之和的比例(C/(Si+C))为大于0.00且0.30以下的部分中设置所述上部电荷注入阻止部分。