[发明专利]一种高可靠性的铜柱凸块封装方法及其封装结构

权利要求书

1.一种高可靠性的铜柱凸块封装方法，其工艺过程如下：

步骤一、提供一带有芯片电极阵列及钝化层（110）的芯片基体（100）；

步骤二、采用旋转涂胶或化学气相沉积法在芯片基体（100）表面沉积一介电层（200）；

步骤三、通过溅射、电镀或化学镀的方式在介电层（200）表面形成金属层（400）；

步骤四、采用旋转涂光刻胶的方式在上述金属层（400）上覆盖一光刻胶层（500），再通过曝光、显影的方式形成贯穿光刻胶层（500）的光刻胶层开口（510），光刻胶层开口（510）的横截面尺寸较小；

步骤五、通过湿法腐蚀的方式去除上述光刻胶层开口（510）下方对应的金属，形成贯穿金属层的金属层开口（410）；

步骤六、去除剩余的光刻胶，露出形成金属层开口（410）的金属层；

步骤七、利用干法刻蚀工艺通过金属层开口（410）形成贯穿介电层（200）的介电层通孔（210）；

步骤八、去除金属层；

步骤九、依次利用溅射、光刻、电镀、回流的方式在芯片电极（120）的上方形成带有锡焊料帽的铜柱凸块（300），铜柱凸块（300）的底部向下延伸并通过介电层通孔（210）与芯片电极（120）固连，实现电气连通。

2.根据权利要求1所述的铜柱凸块封装方法，其特征在于：所述光刻胶层（500）的厚度小于5um。

3.根据权利要求1所述的铜柱凸块封装方法，其特征在于：所述金属层（400）的厚度小于1um。

4.根据权利要求1所述的铜柱凸块封装方法，其特征在于：所述金属层开口（410）与光刻胶层开口（510）的横截面尺寸相同，且所述金属层开口（410）和光刻胶层开口（510）不小于介电层通孔（210）的横截面尺寸。

5.根据权利要求1所述的铜柱凸块封装方法，其特征在于：在铜柱凸块（300）区域内，所述介电层通孔（210）呈有序分布。

6.根据权利要求5所述的铜柱凸块封装方法，其特征在于：所述介电层通孔（210）呈环形分布或阵列分布。

7.根据权利要求1所述的铜柱凸块封装方法，其特征在于：在铜柱凸块（300）区域内，所述介电层通孔（210）呈无序分布。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的铜柱凸块封装方法，其特征在于：所述介电层通孔（210）的横截面尺寸远小于铜柱凸块（300）的横截面尺寸。

9.根据权利要求8所述的铜柱凸块封装方法，其特征在于：所述介电层通孔（210）的横截面尺寸范围为3~10um。

10.根据权利要求1至7中任一项所述的铜柱凸块封装方法，其特征在于：所述介电层通孔（210）的横截面呈圆形、矩形或多边形。