[发明专利]太阳能电池接触件及其制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，包括：

背面接触件，包括背面电极层和至少一个石墨烯层，所述石墨烯层的电阻率比所述背面电极层的电阻率低；其中，所述背面电极层包括多个堆叠的分布式布拉格反射器层；

吸收件，位于所述背面接触件上方；

正面接触件，位于所述吸收件上方；

P1划线，延伸穿过所述背面接触件并且填充有所述吸收件的材料；

P2划线，延伸穿过所述吸收件并且填充有所述正面接触件的材料；以及

P3划线，延伸穿过正面接触件和吸收件。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述石墨烯层位于所述背面电极层上方。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述石墨烯层位于所述背面电极层下方。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述石墨烯层的电阻率介于10^-6Ω·cm至10^-4Ω·cm的范围内。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述石墨烯层的厚度介于1nm至100nm的范围内。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述背面电极层包括金属。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述背面电极层的电阻率介于10^-4Ω·cm至10^-2Ω·cm的范围内。

8.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述多个堆叠的分布式布拉格反射器层具有80％以上的光反射。

9.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述多个堆叠的分布式布拉格反射器层包括介于2层至10层的范围内的偶数个层。

10.一种用于制造太阳能电池的方法，包括：

通过在衬底上方沉积背面电极层和石墨烯层而在所述衬底上形成背面接触件，所述石墨烯层的电阻率比所述背面电极层的电阻率低；其中，沉积所述背面电极层的步骤包括：在所述衬底上方沉积多个分布式布拉格反射器层；在完成背面接触件的沉积之后，形成穿过所述背面接触件的P1划线；

在所述背面接触件上方形成吸收件，用所述吸收件的材料填充所述P1划线；形成穿过所述吸收件的P2划线；以及

在所述吸收件上方形成正面接触件，用所述正面接触件的材料填充所述P2划线；

形成穿过所述正面接触件和所述吸收件的P3划线。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述背面电极层包括电阻率比Mo高的金属。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，按照如下顺序实施所述沉积的步骤：

(a)沉积所述背面电极层；以及

(b)在所述背面电极层上方沉积所述石墨烯层。

13.根据权利要求10所述的方法，其中，按照如下顺序实施所述沉积的步骤：

(a)沉积所述石墨烯层；以及

(b)在所述石墨烯层上方沉积所述背面电极层。

14.根据权利要求10所述的方法，其中，沉积所述分布式布拉格反射器层的步骤包括：

(a)在所述衬底上方沉积第一分布式布拉格反射器材料；以及

(b)在所述第一分布式布拉格反射器材料上方沉积第二分布式布拉格反射器材料。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，重复所述沉积的步骤(a)和(b)至少一次。

16.一种用于制造太阳能电池的方法，包括：

提供衬底；

通过在所述衬底上方沉积背面电极层和石墨烯层而在所述衬底上方形成背面接触件，所述石墨烯层的电阻率比所述背面电极层的电阻率低；其中，所述背面电极层包括多个堆叠的分布式布拉格反射器层；在完成背面接触件的沉积之后，形成穿过所述背面接触件的P1划线；

在所述背面接触件上方形成吸收件，用所述吸收件的材料填充所述P1划线；

在所述吸收件上方形成缓冲层；在沉积所述缓冲层之后，形成穿过所述吸收件和所述缓冲层的P2划线；以及

在所述缓冲层上方形成正面接触件，用所述正面接触件的材料填充所述P2划线；

形成穿过所述正面接触件、所述缓冲层和所述吸收件的P3划线。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述石墨烯层与所述背面电极层的上表面或下表面直接接触。