[发明专利]一种基于服务器的晶圆缺陷监测分析方法

说明书

技术领域

本发明属于半导体领域，涉及一种缺陷监测，尤其涉及一种具基于SSA（运维审计系统）服务器的晶圆缺陷监测分析方法。

背景技术

缺陷扫描机台对晶圆进行缺陷扫描后会将扫描结果传送至Klarity Defect（科莱瑞迪缺陷）系统。随后工程师需要对晶圆进行一片一片的人工缺陷分类。这样既降低了工程师的工作效率，也无法避免手动操作可能带来的遗漏或错误归类。

同时，现有的Klarity Defect无法进行固定缺陷类别的发生警报功能，工程师只有在某一层看到某种缺陷时，再进行该种缺陷的分析及其对制程的影响。存在制程改进滞后现象。如Macro Scratch（宏观划痕）缺陷易在化学机械研磨（Chemical Mechanical Polishing，简称：CMP）层发生，造成制程失败情况，晶圆表面会被破坏，在沉积（Dep）制程时，有30%的可能性造成W Residual（W残余）现象，导致良率降低。

中国专利（CN101409244）公开了一种晶圆表面与工艺微粒与缺陷的监控方法，其中晶圆表面微粒与缺陷的监控方法是利用一量测机台以监测一晶圆实质有效表面上的微粒与缺陷。在监测之前，先在晶圆实质有效表面上形成一实质均匀的共形披覆层，并控制其厚度以使晶圆表面上可能有效的微粒与缺陷轮廓被适当放大。但该专利效率较低，制程改进滞后。

中国专利（CN101707180A）公开了一种扩大半导体晶圆光学监测系统的制程监控能力的方法,其比现行的方法能更灵敏地检测晶圆表面上制程变异的微小影响。该方法实质上利用几何区块将监测表面上感测过的小点分组,并使每个区块与同一晶圆的另一晶粒上对应位置的区块相比较,以及与另一晶圆的一晶粒上对应位置区块的存储模型影像相比较。在本发明一实施例中,直接比较小点值,并在缺陷检测程序中将差异进行阈值控制在可接受的低水平内。另一实施例中,根据测得的光强度值来计算每个区块的信号,并与其对应的信号相比较。但该专利仍具有效率较低，制程改进滞后的问题。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明通过缺陷检测分析，自动进行缺陷警报，可以快速的获取缺陷情况，工程师可以进行实时缺陷分析，以提高制程良率，避免制程失败情况。

为达到上述目的，具体技术方案如下：

一种基于服务器的缺陷监测分析方法，所述服务器与缺陷扫描机连接，所述服务器中包括分析比对模块和报警模块，所述缺陷监测分析方法包括以下步骤：

步骤1，设定所述服务器的分析比对模块的特定类型缺陷；

步骤2，将所述缺陷扫描机的缺陷扫描结果导入所述服务器中；

步骤3，所述服务器的分析比对模块将所述缺陷扫描机导入的缺陷扫描结果与所述特定类型缺陷对比；

步骤4，如果所述缺陷扫描结果达到所述特定类型缺陷，则所述服务器的报警模块进行报警。

优选的，还包括步骤5，工程师根据所述服务器的报警，对所述缺陷扫描结果进行缺陷分析，判断是否进行制程改善。

优选的，所述缺陷扫描机的缺陷扫描结果包括晶圆的若干层的扫描结果。

优选的，所述特定类型缺陷包括缺陷所在的层及缺陷数量。

优选的，所述报警模块中包括报警邮箱，所述报警模块通过发送报警邮件至所述报警邮箱进行报警。

相对于现有技术，本发明的技术方案通过缺陷检测分析，自动进行缺陷警报，可以快速的获取缺陷情况，工程师可以进行实时缺陷分析，以提高制程良率，避免制程失败情况。

附图说明

构成本发明的一部分的附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1为本发明实施例的流程示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

以下将结合附图对本发明的实施例做具体阐释。

如图1中所示的本发明的实施例的一种基于服务器的缺陷监测分析方法，服务器与缺陷扫描机连接，服务器中包括分析比对模块和报警模块。缺陷监测分析方法包括以下步骤：