[发明专利]采用离子击穿检测多晶硅底部刻蚀不足缺陷的方法

权利要求书

1.采用离子击穿检测多晶硅底部刻蚀不足缺陷的方法，其特征在于，包括下述步骤：

步骤1.建立测试结构；

步骤2.将所述测试结构放置于电子束检测仪的监控产品测试位置，在所述测试结构的表面沉积掩模层，根据前段工艺进行流片；

步骤3.采用刻蚀工艺对所述测试结构进行刻蚀；

步骤4.对刻蚀后的所述测试结构进行离子击穿；

步骤5.采用所述电子束检测仪对刻蚀后的所述测试结构进行检测，判断所述测试结构的底部的多晶硅是否与有源区互联，若是则存在多晶硅底部刻蚀不足缺陷，若否则所述测试结构不存在刻蚀不足缺陷。

2.如权利要求1所述采用离子击穿检测多晶硅底部刻蚀不足缺陷的方法，其特征在于，步骤1所述测试结构包括：有源区、多晶硅和栅氧化层，所述有源区上等间距的设有多条所述栅氧化层，每条所述栅氧化层上设有多晶硅，所述多晶硅宽度与栅氧化层的宽度相同。

3.如权利要求2所述采用离子击穿检测多晶硅底部刻蚀不足缺陷的方法，其特征在于，所述多晶硅线间距离与监控产品的多晶硅的线间距离相同，所述有源区结构与所述监控产品的有源区结构相同，所述栅氧化层的结构与所述监控产品的栅氧化层结构相同。

4.如权利要求1所述采用离子击穿检测多晶硅底部刻蚀不足缺陷的方法，其特征在于，步骤2所述测试位置为切割道的位置。

5.如权利要求1所述采用离子击穿检测多晶硅底部刻蚀不足缺陷的方法，其特征在于，步骤2所述掩模层沉积于所述电容测试结构的所述有源区、所述多晶硅和所述栅氧化层表面。

6.如权利要求1所述采用离子击穿检测多晶硅底部刻蚀不足缺陷的方法，其特征在于，步骤4所述离子击穿采用的离子杂质为N型。

7.如权利要求6所述采用离子击穿检测多晶硅底部刻蚀不足缺陷的方法，其特征在于，所述离子杂质的剂量大于或等于后续正常流程中N型超浅结和N型源漏区离子注入的剂量总和，离子注入的深度与后续N型源流区离子注入的深度相等。