[发明专利]一种去除硅片金属杂质的方法

权利要求书

1.一种去除硅片金属杂质的方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）对硅片表面进行氧化处理，使硅表面在300-400℃下氧化生成二氧化硅，杂质金属离子被固定在所生成的二氧化硅层中；

2）用DHF对所述二氧化硅进行去除，以一同去除所生成的二氧化硅层中的金属杂质；

3）用SC1SC2清洗，去除残留的二氧化硅。

2.根据权利要求1所述的一种去除硅片金属杂质的方法，其特征在于，所述氧化处理采用低温等离子体氧化工艺。

3.根据权利要求2所述的一种去除硅片金属杂质的方法，其特征在于，所述低温等离子体氧化工艺包括以下步骤：首先进行气体冲洗流程，然后进行该气体等离子体启辉。

4.根据权利要求3所述的一种去除硅片金属杂质的方法，其特征在于，所述气体选自O₂、Ar、N₂中的任一种。

5.根据权利要求3所述的一种去除硅片金属杂质的方法，其特征在于，所述气体冲洗流程的工艺参数设置为：腔室压力10-50豪托，气体流量80-600sccm，时间10-20s。

6.根据权利要求5所述的一种去除硅片金属杂质的方法，其特征在于，所述气体冲洗流程的工艺参数设置为：腔室压力20-30豪托，气体流量200-300sccm，时间10-15s。

7.根据权利要求3所述的一种去除硅片金属杂质的方法，其特征在于，所述启辉过程的工艺参数设置为：腔室压力10-50豪托，气体流量80-600sccm，上电极功率250-400W，时间10-120s。

8.根据权利要求7所述的一种去除硅片金属杂质的方法，其特征在于，所述启辉过程的工艺参数设置为：腔室压力20-30豪托，气体流量200-300sccm，上电极功率300-350W，时间50-60s。

9.根据权利要求1所述的一种去除硅片金属杂质的方法，其特征在于，所述DHF清洗工艺中使用的溶液中HF的质量浓度为1-5%。