[发明专利]一种铕离子掺杂氟化钆钠光学晶体及其制备方法

权利要求书

1.一种铕离子掺杂氟化钆钠光学晶体及其制备方法，其特征在于该Eu³⁺掺杂氟化镥钆锂单晶体的单晶体的化学式为NaGd_(1-α)Eu_αF₄。其中0.004≤α≤0.150。 

2.权利要求1所述的一种一种铕离子掺杂氟化钆钠光学晶体的制备方法，其特征在于步骤如下： 

1)、将纯度大于99.99％的NaF、GdF₃与EuF₃按摩尔百分比56.0∶43.59～28.85∶0.41～15.15混合，置于碾磨器中，碾磨混合5～6h，得到均匀粉末的混合料； 

2)、将上述混合料置于铂金坩锅中，铂金坩锅安装于管式电阻炉的铂金管道中，然后用N₂气排除铂金管道中的空气，在温度720～750℃，通HF气下，反应处理1～5小时，反应处理结束，关闭HF气体与管式电阻炉，用N₂气清洗管道中残留的HF气体，得到多晶粉料。 

3)、将上述多晶粉料置于碾磨器磨成粉末，然后置于Pt坩埚中并压实，密封Pt坩埚；密封就隔绝了空气和水汽，使得晶体生长过程中与空气和水汽隔绝，使生长的Eu³⁺掺杂NaGdF₄单晶体品质高； 

4)、将密封的Pt坩埚置于硅钼棒炉中，用坩埚下降法生长晶体，生长晶体的参数为：炉体温度为860～880℃，接种温度为760～780℃，固液界面的温度梯度为20～80℃/cm，下降坩锅进行晶体生长的速度为0.2～2.0mm/h。晶体生长结束后，采用原位退火，以20～80℃/h下降炉温至室温，得到Eu³⁺掺杂NaGdF₄单晶体。 

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于步骤1)中所述的NaF、GdF₃和EuF₃的纯度均大于99.99％。