[发明专利]一种TFT阵列基板及其制作方法、显示面板

说明书

技术领域

本发明涉及平板显示领域，尤其涉及一种TFT阵列基板及其制作方法，以及包含该阵列基板的显示面板。

背景技术

现今，液晶显示装置(LiquidCrystalDisplay，LCD)是一种最广泛使用的平板显示装置。LCD包括相对设置的TFT（ThinFilmTransistor，薄膜晶体管）阵列基板和彩膜基板，以及夹在两基板之间的液晶（liquidcrystal，LC）分子层。

传统TFT阵列基板的俯视结构示意图如图1所示，主要包括基板100（图1中未示出），以及设置于基板上的如下部件：多条栅极线（gateline）101；公共电极线（commonelectrodeline）102；与栅极线101绝缘交叉的多条数据线（source line或dataline）103；设置于栅极线101和数据线103交叉处的像素开关TFT104；像素电极105。相邻栅极线101和相邻数据线103所围成的区域为像素区域，像素区域包括TFT区域和像素电极区域。像素电极105设置于像素电极区域内，TFT104设置于TFT区域内。所述TFT104包括：与栅极线101电连接的栅极106；与数据线103电连接的第一电极107；第二电极108以及半导体图形110。第二电极108同时与栅极106和公共电极线102相交叠，由于栅极106和公共电极线102之间绝缘断开，因此第二电极108搭接在栅极106和公共电极线102之间，即第二电极108覆盖部分栅极106的边缘和部分公共电极线102的边缘，数据线103和/或第一电极107至少部分覆盖栅极106的边缘和公共电极线102的边缘，一般情况下，栅极和公共电极线的纵向剖视图均为梯形，也就是说栅极和公共电极线均具有梯形侧面，本发明中所定义的栅极的边缘和公共电极线的边缘分别指的是栅极的侧面和公共电极线的侧面所对应的区域，图1中未示出。

参见图2，图2为图1中沿线E-E’截取的剖面结构示意图。该TFT阵列基板的具体结构包括：基板100，位于该基板100上的第一导电层，该第一导电层包括栅极106、栅极线101和公共电极线102；位于第一导电层上的第一绝缘层109；位于该第一绝缘层109上的半导体层，所述半导体层包括层叠的本征半导体层110a和欧姆接触层110b且所述半导体层包括与栅极106对应设置的半导体图形110；位于该半导体层上的第二导电层，该第二导电层包括数据线103、与数据线103电连接的第一电极107，第二电极108；位于该第一电极107和第二电极108之间的狭缝111；位于该第二导电层上的第二绝缘层112，该第二绝缘层112具有暴露出部分第二电极108的过孔113；位于该第二绝缘层112上的第三导电层，该第三导电层包括像素电极105，该像素电极105通过过孔113与第二电极108电连接。

上述TFT阵列基板中的像素开关TFT104容易失灵，无法控制像素的开关状态，因此个别像素一直显示为亮点，导致LCD显示亮点缺陷的产生，严重影响LCD的显示画面的质量。

发明内容

为了解决现有技术中存在的技术问题，发明人做了大量的不良解析和实验分析工作，发现是由于半导体层（包括层叠的本征半导体层和欧姆接触）在栅极的边缘和/或公共电极线的边缘处有残留导致的LCD显示亮点缺陷的产生。