[发明专利]光学单元、成像设备、电子装置及母版无效
申请号: | 201410060936.3 | 申请日: | 2014-02-21 |
公开(公告)号: | CN104020516A | 公开(公告)日: | 2014-09-03 |
发明(设计)人: | 梶谷俊一;田泽洋志;坪里惠;林部和弥;田中洋志;谷田部透 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | G02B1/11 | 分类号: | G02B1/11;G03F1/46 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 单元 成像 设备 电子 装置 母版 | ||
1.一种具有防反射功能的光学单元,包括:
波形面,所述波形面的波长等于或短于可见光波长,所述波形面具有以凹形在所述波形面的顶部与底部之间弯曲的曲面,
其中,通过在垂直于所述波形面的振动方向的平面内切割所述波形面而获得的截面面积的拐点位于从所述振动的中心朝向所述波形面的所述底部。
2.根据权利要求1所述的光学单元,其中,从所述波形面的所述振动的最大位置到a/10距离的位置的范围内的所述波形面的体积va和从所述波形面的所述振动的最小位置到a/10距离的位置范围内的所述波形面的体积vb满足由va<vb表示的关系,其中,a是所述波形面的幅值。
3.根据权利要求2所述的光学单元,其中,所述体积va与从所述波形面的所述振动的所述最小位置到所述最大位置的范围内的所述波形面的体积V的比(va/V)×100%是10%或更低。
4.根据权利要求1所述的光学单元,其中,所述波形面的波长和幅值是130nm或更长。
5.根据权利要求1所述的光学单元,其中,通过在与所述波形面的所述振动方向平行的平面内切割所述波形面而得到的截面形状从所述顶部至所述底部具有平缓的梯度。
6.根据权利要求1所述的光学单元,其中,所述波形面包括以节距等于或短于可见光的波长而设置的多个凹坑。
7.根据权利要求1所述的光学单元,其中,所述波形面的幅值为400nm或更短。
8.一种掩模,包括:
波形面,所述波形面的波长等于或短于可见光的波长,所述波形面具有以凸形在所述波形面的顶部和底部之间弯曲的曲面,
其中,通过在垂直于所述波形面的振动方向的平面内切割所述波形面而获得的截面面积的拐点位于从所述振动的中心朝向所述波形面的所述顶部。
9.根据权利要求8所述的掩模,进一步包括:
具有第一波形面的本体;以及
具有设置在所述第一波形面上的第二波形面的表面层,
其中,所述第二波形面具有等于或短于可见光的波长的波长,并被设置为使得所述第二波形面的形状类似于所述第一波形面的形状。
10.根据权利要求9所述的掩模,其中,所述第二波形面的幅值比所述第一波形面的幅值更长。
11.根据权利要求9所述的掩模,其中,所述表面层包括无机材料。
12.根据权利要求11所述的掩模,其中,所述无机材料包括电介质、透明导体、金属或半导体。
13.根据权利要求9所述的掩模,其中,所述本体包括有机材料。
14.根据权利要求9所述的掩模,其中,在所述波形面的所述振动的最大位置处的所述表面层的厚度是10nm或更大。
15.根据权利要求8所述的掩模,其中,所述波形面包括以节距等于或短于可见光的波长而设置的多个结构体。
16.一种成像设备,包括:
光学系统,包括具有防反射功能的光学单元,
所述光学单元包括
波形面,所述波形面的波长等于或短于可见光的波长,所述波形面具有以凹形在所述波形面的顶部和底部之间弯曲的曲面,
其中,通过在垂直于所述波形面的振动方向的平面内切割所述波形面而获得的截面面积的拐点位于从所述振动的中心朝向所述波形面的底部。
17.一种电子装置,包括:
显示设备,包括具有防反射功能的光学单元,
所述光学单元包括
波形面,所述波形面的波长等于或短于可见光的波长,所述波形面具有以凹形在所述波形面的顶部和底部之间弯曲的曲面,
其中,通过在垂直于所述波形面的振动方向的平面内切割所述波形面而获得的截面面积的拐点位于从所述振动的中心朝向所述波形面的底部。
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