[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201410061074.6 | 申请日： | 2014-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN104465741A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 安本恭章;梁濑直子;阿部和秀;内原士;齐藤泰伸;仲敏行;吉冈启;小野祐;大野哲也;藤本英俊;增子真吾;古川大;八木恭成;汤元美树;饭田敦子 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L29/872;H01L29/40 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐冰冰;刘杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
GaN系半导体层，表面相对m面或a面具有0度以上5度以下的角度；
第一电极，设置于上述表面，具有第一端部；以及
第二电极，与上述第一电极分离地设置于上述表面，具有与上述第一端部对置的第二端部，连接上述第一端部的任意点和上述第二端部的任意点的线段的方向与上述GaN系半导体层的c轴方向不同。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
上述第一端部与上述第二端部平行。
3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
上述第一端部和上述第二端部相对上述c轴方向平行。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
上述GaN系半导体层具有GaN层和AlGaN层的层叠结构，上述表面为上述AlGaN层的表面。
5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
在上述第一电极与上述第二电极之间，进一步具备第三电极。
6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，
上述第一电极及上述第二电极与上述GaN系半导体层的接触是欧姆接触。
7.一种半导体装置，其特征在于，具备：
GaN系半导体层；
第一电极，设置于上述GaN系半导体层的表面，具有第一端部；以及
第二电极，与上述第一电极分离地设置于上述表面，具有与上述第一端部对置且与上述第一端部不平行的第二端部。
8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，
上述第一端部及上述第二端部为直线状。
9.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，
上述第一端部或上述第二端部为阶梯状。
10.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，
上述第一端部或上述第二端部为曲线状。
11.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，
在上述第一电极与上述第二电极之间，进一步具备第三电极。
12.如权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，
上述第一电极及上述第二电极与上述GaN系半导体层的接触是欧姆接触。
13.一种半导体装置，其特征在于，具备：
GaN系半导体层；
第一电极，设置于上述GaN系半导体层的表面，具有曲线状的第一端部；以及
第二电极，与上述第一电极分离地设置于上述表面，具有与上述第一端部对置的曲线状的第二端部。
14.如权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，
上述第一端部及上述第二端部为环状。
15.如权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，
在上述第一电极与上述第二电极之间，进一步具备第三电极。
16.如权利要求15所述的半导体装置，其特征在于，
上述第一电极及上述第二电极与上述GaN系半导体层的接触是欧姆接触。
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