[发明专利]光刻工艺中的曝光场的尺寸选择方法

权利要求书

1.一种光刻工艺中的曝光场的尺寸选择方法，用于在同时利用扫描式光刻机和步进式光刻机的光刻过程中，选择扫描式光刻机的曝光场尺寸x_sc×y_sc和步进式光刻机的曝光场尺寸x_st×y_st，所述扫描式光刻机用于形成第一光刻图形，所述步进式光刻机用于形成第二光刻图形，所述选择方法使得位于第一光刻图形层上的、且与中心距离最远的4个shot分别与位于第二光刻图形层上的、且与中心距离最远的4个shot中心重合，包括如下步骤：

获取待生产的芯片尺寸x_d×y_d；

获取待光刻的晶圆的半径R；

定义横轴方向上的与晶圆中心距离最远的两个shot中每个shot的中心距离晶圆中心的距离为X、纵轴方向上的与晶圆中心距离最远的两个shot中每个shot的中心距离晶圆中心的距离为Y、晶圆的去边长度d；扫描式光刻机的最大曝光场尺寸为x_{sc_max}×y_{sc_max}，步进式光刻机的最大曝光场尺寸为x_{st_max}×y_{st_max}；x_sc＝a_x×x_d、y_sc＝a_y×y_d、x_st＝b_x×x_d、y_st＝b_y×y_d；

根据以下约束条件计算a_x、b_x、a_y、b_y的值：

(1)k_x×a_x×x_d＝l_x×b_x×x_d＝X，同时k_y×a_y×y_d＝l_y×b_y×y_d＝Y；条件式(1)表示在距离X内、横向上有k_x×a_x个、或者l_x×b_x个芯片图形，在距离Y内、纵向上有k_y×a_y、或者l_y×b_y个芯片图形；

(2)x_sc＜x_{sc_max}、y_sc＜y_{sc_max}、x_st＜x_{st_max}、y_st＜y_{st_max}；

(3)X+0.5x_sc＜R-d、Y+0.5y_sc＜R-d；

(4)k_x、a_x、l_x、b_x、k_y、a_y、l_y、b_y均为整数。

2.根据权利要求1所述的光刻工艺中的曝光场的尺寸选择方法，其特征在于，所述晶圆直径为8英寸，所述去边长度d为2～4毫米。