[发明专利]半导体封装结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体封装结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体芯片，所述芯片的表面设有焊盘和钝化层，所述钝化层设有裸露所述焊盘的第一开口；

在芯片的焊盘和钝化层上依次形成耐热金属层和金属浸润层；

在金属浸润层上形成光刻胶，所述光刻胶设有曝露出芯片焊盘上方金属浸润层的第二开口；

在第二开口中的金属浸润层上依次形成附着层和阻挡层；

在阻挡层上形成焊料；

去除光刻胶；

蚀刻钝化层上的耐热金属层和金属浸润层至钝化层裸露；

回流焊料，形成柱状凸点；

提供引线框架，所述引线框架设有若干分立的引脚，内引脚和外引脚设于引脚的相对两面；

将形成有柱状凸点的芯片倒装于引线框架上，所述柱状凸点与所述内引脚电连接；

形成密封所述芯片、柱状凸点和引线框架，并裸露出所述外引脚的塑封层。

2.根据权利要求1所述的一种半导体封装结构的形成方法，其特征在于，所述第二开口小于所述第一开口。

3.根据权利要求1所述的一种半导体封装结构的形成方法，其特征在于，所述耐热金属层的材料是钛、铬、钽或它们的组合。

4.根据权利要求1所述的一种半导体封装结构的形成方法，其特征在于，所述金属浸润层的材料是铜、铝、镍或它们的组合。

5.根据权利要求1所述的一种半导体封装结构的形成方法，其特征在于，所述附着层的材料是铜。

6.根据权利要求5所述的一种半导体封装结构的形成方法，其特征在于，所述铜附着层的厚度是5～50μm。

7.根据权利要求1所述的一种半导体封装结构的形成方法，其特征在于，所述阻挡层的材料是镍。

8.根据权利要求7所述的一种半导体封装结构的形成方法，其特征在于，所述镍阻挡层的厚度是1.5～3μm。

9.根据权利要求1所述的一种半导体封装结构的形成方法，其特征在于，所述焊料的材质是纯锡或锡合金。

10.根据权利要求9所述的一种半导体封装结构的形成方法，其特征在于，所述焊料的厚度是5～70μm。