[发明专利]输出驱动装置及输出驱动方法

权利要求书

1.一种输出驱动方法，其特征在于，所述方法包括：

提供受控电流通路，受控电流通路包括负载，负载配置为从受控电流通路拉取电流；

响应于调制电压信号的第一方面和第二方面，控制流经受控电流通路的负载的电流；所述控制是通过使得包括了晶体管的晶体管电路在以下模式间切换：

电流导通模式，其中通过第一电流分支拉取受控电流；

电流阻断模式，其中流经第一电流分支的受控电流被阻断；

其中，将晶体管在电流导通模式和电流阻断模式之间切换，使得晶体管的结受到电压应力，该电压应力是由于受控电流通路中的电流向晶体管的击穿阈值出现尖峰而产生的；

响应于调制电压信号的第一方面并在电流导通模式下，使用晶体管电路引导受控电流通路中的电流流经第一电流分支；以及

响应于调制电压信号的第二方面并在电流阻断模式下，将受控电流通路中的电流自第一电流通路快速转向第二电流通路，以抑制在受控电流通路中的电流尖峰并抑制结到达晶体管的击穿阈值，从而避免结击穿。

2.如权利要求1所述的输出驱动方法，其特征在于：在连接到负载的节点上，晶体管被电压偏置到高于击穿电压的电压水平上，该击穿电压是为所述晶体管的所述节点与控制输入端之间定义的；将所述晶体管在电流导通模式与电流阻断模式之间切换导致流经负载的瞬时电流出现尖峰。

3.如权利要求1所述的输出驱动方法，其特征在于：调制电压信号是脉冲宽度调制信号；第二电流通路在电流导通模式下提供轻偏置，并在电流阻断模式下被激活以提供较大偏置，从而在电流导通模式和电流阻断模式之间切换时产生即时效果。

4.如权利要求1所述的输出驱动方法，其特征在于：所述晶体管是MOS型晶体管，所述晶体管包括漏极，漏极由连接到负载的节点偏置到大于为所述晶体管所定义的栅-漏击穿电压的电压水平上。

5.如权利要求1所述的输出驱动方法，其特征在于：负载包括多个发光二极管(LED)，所述多个发光二极管易于响应于电流尖峰而改变发光强度。

6.如权利要求1所述的输出驱动方法，其特征在于：负载包括多个接收电极，接收电极配置为接收传感器阵列的信号。

7.一种输出驱动装置，其特征在于，包括：

受控电流通路，包括负载，负载配置为从受控电流通路拉取电流：

第一电流分支和第二电流分支；

晶体管电路，包括晶体管，配置为在电流导通模式与电流阻断模式之间切换；以及

控制电路，配置为：

响应于调制电压信号的第一方面和第二方面而控制流经受控电流通路中的负载的电流，所述控制是通过使得晶体管在电流导通模式和电流阻断模式之间切换；在电流导通模式中，通过第一电流分支拉取电流；在电流阻断模式中，流经第一电流分支的电流被阻断；其中将晶体管在电流导通模式和电流阻断模式之间切换，使得晶体管的结受到电压应力，该电压应力是由于受控电流通路中的电流向晶体管的击穿阈值出现尖峰而产生的，

响应于调制电压信号的第一方面并在电流导通模式下，使用晶体管电路引导受控电流通路中的电流流经第一电流分支，以及

响应于调制电压信号的第二方面并在电流阻断模式下，将受控电流通路中的电流自第一电流通路快速转向第二电流通路，以抑制在受控电流通路中的电流尖峰并抑制结到达晶体管的击穿阈值，从而避免结击穿。

8.如权利要求7所述的输出驱动装置，其特征在于：在连接到负载的节点上，晶体管被电压偏置到高于击穿电压的电压水平上，该击穿电压是为所述晶体管的所述节点与控制输入端之间定义的；将所述晶体管在电流导通模式与电流阻断模式之间切换导致流经负载的瞬时电流出现尖峰。

9.如权利要求7所述的输出驱动装置，其特征在于：调制电压信号是脉冲宽度调制信号。

10.如权利要求7所述的输出驱动装置，其特征在于：所述晶体管是MOS型晶体管，所述晶体管包括漏极，漏极由连接到负载的节点偏置到大于为所述晶体管定义的栅-漏击穿电压的电压水平上。

11.如权利要求7所述的输出驱动装置，其特征在于：负载包括多个发光二极管，所述多个发光二极管易于响应于电流尖峰而改变光强度。

12.如权利要求7所述的输出驱动装置，其特征在于：负载包括多个接收电极，接收电极配置为接收传感器阵列的信号。