[发明专利]一种干法制备纳米线阵列气敏元件的方法

权利要求书

1.一种干法制备纳米线阵列气敏元件的方法，其步骤为：

1）在基片上制备一梳齿状电极阵列；

2）从所述梳齿状电极阵列中分离出一个电极单元基片；

3）将分离出的所述电极单元基片的电极所在面贴到生长有纳米线薄膜的基片上，然后沿垂直于电极单元梳齿方向推压所述电极单元基片，将纳米线粘附到所述电极单元基片上，得到纳米线阵列气敏元件。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于制备所述梳齿状电极阵列的方法为：首先在SiO₂/Si基片上旋涂光刻胶后曝光制备一梳齿状图形阵列；然后依次制备金属粘附层和金属层，剥离光刻胶，得到所述梳齿状电极阵列。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于所述金属粘附层为Ti薄膜；所述金属层为Pt金属层。

4.如权利要求2或3所述的方法，其特征在于所述金属粘附层厚度为5nm；所述金属层厚度为45nm。

5.如权利要求3所述的方法，其特征在于所述纳米线薄膜为氧化铟纳米线薄膜。

6.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于所述步骤2）的实现方法为：首先在所述梳齿状电极阵列相邻两个电极单元的边缘中间部位用金刚刀划一痕迹；然后利用所述梳齿状电极阵列所在基片的硅衬底晶格取向施力，使相邻电极单元分开，得到所述电极单元基片。

7.如权利要求1或2或3所述的方法，其特征在于所述梳齿状电极阵列的阵列单元间距3mm，梳齿状电极的线宽/间距为1μm/9μm，线长为500μm。