[发明专利]光电子器件和图像传感器

权利要求书

1.一种有机图像传感器，包括：

感光器件的阵列；

滤色器的阵列，在所述感光器件的阵列上；和

光电子器件，在所述滤色器的阵列上；

其中所述光电子器件包括：

第一电极，包括第一金属并透射入射光，

有源层，设置在所述第一电极和第二电极之间，所述有源层包括选择性吸收绿色波长区域中的光的有机材料，

扩散阻挡层，包括第二金属，设置在所述第一电极和所述有源层之间并配置为透射光，其中所述第二金属的热扩散率低于所述第一金属的热扩散率，以及

光透射辅助层，形成在所述第一电极上且在所述第一电极的与所述扩散阻挡层相反的一侧，其中所述光透射辅助层降低入射光的反射率并改善入射光被所述光电子器件的吸收，

其中所述第一金属包括银(Ag)、铬(Cr)、锗(Ge)、其合金、或其组合，并且所述第二金属包括铝(Al)、钴(Co)、钌(Ru)、钯(Pd)、其合金、或其组合，并且

其中所述扩散阻挡层与所述第一电极直接接触，并且所述扩散阻挡层配置为部分地或完全地防止所述第一电极的所述第一金属扩散到所述有源层中，

所述光透射辅助层包括具有1.6至2.5的折射率的金属氧化物和金属硫化物中的至少一种，所述金属氧化物包括钨氧化物、锌氧化物、铝氧化物、铝锡氧化物、氟掺杂的锡氧化物、钼氧化物、钒氧化物、铼氧化物、铌氧化物、钽氧化物、钛氧化物、镍氧化物、铜氧化物、钴氧化物、锰氧化物、铬氧化物或其组合，

其中所述有源层吸收期望波长区域中的光以在所述光电子器件中生成电流。

2.如权利要求1所述的有机图像传感器，其中所述第一电极具有1nm至500nm的厚度。

3.如权利要求1所述的有机图像传感器，其中所述扩散阻挡层具有0.5nm至10nm的厚度。

4.如权利要求1所述的有机图像传感器，其中所述光电子器件的透光率等于或大于80％。

5.如权利要求1所述的有机图像传感器，其中所述光电子器件的暗电流等于或小于100e/s。

6.如权利要求1所述的有机图像传感器，其中

所述滤色器的阵列包括红色滤色器和蓝色滤色器。