[发明专利]光敏共聚物,包含所述光敏共聚物的光刻胶,和形成一种电子器件的方法有效

专利信息
申请号: 201410062164.7 申请日: 2014-02-24
公开(公告)号: CN104004128B 公开(公告)日: 2017-04-26
发明(设计)人: O·昂格伊;J·W·撒克里;J·F·卡梅伦 申请(专利权)人: 罗门哈斯电子材料有限公司
主分类号: C08F220/32 分类号: C08F220/32;C08F220/30;C08F220/28;C08F220/38;C08F220/22;G03F7/039;G03F7/00
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司31100 代理人: 陆蔚
地址: 美国马*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 光敏 共聚物 包含 光刻 形成 一种 电子器件 方法
【权利要求书】:

1.一种共聚物,其包含以下物质的聚合产物:

具有式(I)的酸-可脱保护单体和共聚单体:

其中

c是0、1、2、3、4或5,

Ra是H,F,-CN,C1-10烷基或C1-10氟烷基;

Rx是未取代的或取代的C1-10线型或支化的烷基、未取代或取代的C3-10环烷基、未取代或取代的C3-10烯基烷基、或未取代或取代的C3-10炔基烷基,其中Rx和Ry一起任选地形成环;

Ry是氟取代的C3-6线型烷基;和

Rz是由含有缩醛的基团或含有缩酮的基团取代的C6-20芳基,或由含有缩醛的基团或含有缩酮的基团取代的C3-C20杂芳基,其中C6-20芳基基团或C3-C20杂芳基可任选地被进一步取代。

2.如权利要求1的共聚物,其特征在于,所述c是1、2、3、4或5。

3.如权利要求1或2的共聚物,其特征在于,所述酸-可脱保护单体含有至少两个除丙烯酸酯以外的酸-可脱保护基团。

4.如权利要求1或2的共聚物,其特征在于,所述Rz是:

5.如权利要求4的共聚物,其特征在于,所述Ra是氢或甲基。

6.如权利要求1的共聚物,其特征在于,所述酸-可脱保护单体是:

或其组合。

7.如权利要求1、2或6的任一共聚物,其特征在于,所述共聚单体包括以下单体中的至少一种:

具有式(II)的酸-可脱保护单体、式(III)的含内酯单体、式(IV)的碱溶性单体、式(V)的光致生酸单体:

其中

各Ra独立地是H,F,-CN,C1-10烷基或C1-10氟烷基,

各Rb独立地是C1-20烷基、C3-20环烷基、C6-20芳基、C3-20杂芳基、或C7-20芳烷基,各Rb是分隔开的或者至少一个Rb与相邻的Rb键合形成环状结构,

L是单环、多环或稠合多环的C4-20含内酯基团,

W是卤代或非卤代的、芳族或非芳族C2-50含羟基有机基团,其pKa小于或等于12,

Q是含酯基或不含酯基的氟代或非氟代C1-20亚烷基、C3-20环亚烷基、C6-20亚芳基或C7-20亚芳烷基,

A是含酯基或不含酯基的氟代或非氟代C1-20亚烷基、C3-20环亚烷基、C6-20亚芳基或C7-20亚芳烷基,

Z是含有磺酸根的阴离子部分,或磺酰亚胺的阴离子,和

G+是锍阳离子或碘鎓阳离子。

8.一种包含如权利要求1、2或6任一项所述的共聚物的光刻胶组合物。

9.一种形成电子器件的方法,其包括:(a)在基材上施加如权利要求8所述的光刻胶组合物层;(b)以图案化方式将所述光刻胶组合物层曝光于活化辐射;以及(c)对经曝光的光刻胶组合物层进行显影,以提供光刻胶浮雕图像。

10.如权利要求9的方法,其特征在于,所述活化辐射是远紫外辐射或电子束辐射。

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