[发明专利]一种高矫顽力纳米晶热压磁体及其制备方法

说明书

本发明公开了一种高矫顽力纳米晶热压磁体及其制备方法，通式为RE_aM_bFe_cB_d，采用RE_iM_j合金的粉末包裹表面光洁的通式为RE_eM_fFe_gB_h的HDDR纳米晶热压磁体，经真空热处理1‑5小时得到合金，进行切割得到所述的磁体，其中，RE、M、a、b、c、d、e、f、g、h、i和j的定义如说明书和权利要求书所述。本发明利用稀土合金化合物对HDDR热压磁体进行扩散热处理，提高了该种磁体的矫顽力，使其具有较好的温度稳定性，得到的磁体还具有一定各向异性。

技术领域

本发明涉及材料制造领域，尤其涉及一种纳米晶热压磁体及其制备方法。

背景技术

钕铁硼磁体由于其优异的磁性能，包括高矫顽力，高剩磁和高磁能积，在信息通讯、医疗设备、交通运输、仪器仪表等方面有着广泛的用途，成为促进各种高新技术与新兴产业发展以及社会进步的重要物质基础之一。

HDDR(hydrogenation-disproportionation-desorption-recombination，简称HDDR工艺是一种制备纳米晶钕铁硼各向异性磁粉的方法，通过热压工艺能获得具有优异磁性能的各向异性磁体，其具有良好的抗腐蚀性、热稳定性和力学性能，并可加工成精确尺寸，在信息、通讯、计算机等领域有着广阔的利用前景。

由于用于热压的HDDR磁粉的晶粒约为300纳米，接近于钕铁硼的单畴尺寸，根据理论研究，该种尺寸的钕铁硼晶粒应具有较高的矫顽力。已有研究表明，HDDR磁粉的晶界相较为缺失，直接导致相邻晶粒间发生磁耦合作用，从而使磁粉的矫顽力没有达到理论预期。因此，HDDR纳米晶热压磁体的矫顽力也处于较低的水平，影响了其温度稳定性，使得该种纳米晶磁体的应用范围受到限制。

因此,本领域需要提供一种具有高矫顽力、具有较佳的温度稳定性的HDDR纳米晶热压磁体及其制备方法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种具有高矫顽力、具有较佳的温度稳定性的HDDR纳米晶热压磁体及其制备方法。

本发明的第一方面，提供一种磁体，所述磁体的通式为RE_aM_bFe_cB_d，其中，

RE为Pr、Nd、Tb或Dy的一种或两种以上；

M为Cu、Ga、Al、Nb或Co中的一种或两种以上；

28≤a≤32；

0<b<7.3；

0<d<1.1；

c=100-a-b-d。

在另一优选例中，所述磁体的晶粒尺寸为250纳米至700纳米。本发明中，采用扫描电子显微镜观察磁体，选取其中25个晶粒测量粒径，取平均值的得到晶粒尺寸。

在另一优选例中，28≤a≤32；4<b<7.3；0.5<d<1.1；c=100-a-b-d。

在另一优选例中，30≤a≤32；6<b<7.3；0.7<d<1.1；c=100-a-b-d。

在另一优选例中，HDDR纳米晶热压磁体呈一定各向异性特征。

本发明的第二方面，提供第一方面所述的磁体的制备方法，所述方法包括如下步骤：