[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，包括显示区域和非显示区域；所述非显示区域包括横纵交叉的栅线和数据线以及薄膜晶体管所在的区域，所述栅线和所述数据线通过对间隔排列的靶材进行磁控溅射形成金属薄膜层并对所述金属薄膜层进行图形化而形成；其特征在于，

所述非显示区域的对应于所述靶材间隔区域的区域中形成有衬垫结构，所述对应所述靶材间隔区域形成的所述金属薄膜层与所述衬垫结构的厚度之和与对应所述靶材正对区域形成的所述金属薄膜层的厚度相等。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述金属薄膜层包括位于透明基板表面的栅极金属层。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，

所述衬垫结构包括增高层，所述增高层与所述薄膜晶体管的半导体有源层材质相同。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述衬垫结构还包括：

在所述非显示区域内的由从所述栅极金属层表面起依次形成的第一绝缘层、刻蚀保护层、源漏极金属层、第二绝缘层构成的梯形堆叠结构。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述衬垫结构还包括：

在所述非显示区域内的位于所述透明基板与所述栅极金属层之间的第一电极层。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述衬垫结构还包括：

在所述非显示区域内的位于所述第二绝缘层表面的第二电极层。

7.根据权利要求5或6所述的阵列基板，其特征在于，

所述第一电极层为公共电极，所述第二电极层为像素电极；或，

所述第一电极层为像素电极，所述第二电极层为公共电极。

8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-7任一项所述的阵列基板。

9.一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板包括显示区域和非显示区域；所述方法包括在所述非显示区域，对间隔排列的靶材进行磁控溅射形成金属薄膜层并对所述金属薄膜层进行图形化而形成横纵交叉的栅线和数据线的方法，以及形成薄膜晶体管的方法；其特征在于，所述方法还包括：

在所述非显示区域内，在对应于所述靶材间隔区域的区域中形成衬垫结构，所述对应所述靶材间隔区域形成的所述金属薄膜层与所述衬垫结构的厚度之和与对应所述靶材正对区域形成的所述金属薄膜层的厚度相等。

10.根据权利要求9所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，形成金属薄膜层的方法包括在所述透明基板上沉积栅极绝缘层。

11.根据权利要求10所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，制作所述衬垫结构的方法包括：

通过一次构图工艺与采用与所述薄膜晶体管的半导体有源层相同的材质形成增高层的图案。

12.根据权利要求11所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，制作所述衬垫结构的方法还包括：

在形成有上述结构的基板表面通过构图工艺在所述栅极金属层与所述增高层之间形成第一绝缘层的图案；

在形成有所述增高层的基板表面通过构图工艺依次形成刻蚀保护层、源漏极金属层第二绝缘层的图案；

其中，所述第一绝缘层、刻蚀保护层、源漏极金属层以及第二绝缘层构成梯形堆叠结构。

13.根据权利要求12所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述在所述透明基板上沉积栅极绝缘层的步骤之前，制作所述衬垫结构的方法还包括：

在所述透明基板的表面形成第一电极层的图案。

14.根据权利要求13所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，制作所述衬垫结构的方法还包括：

在形成有所述第二绝缘层的基板表面通过构图工艺形成第一电极层的图案。