[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管的有源层包括交替层叠设置的多层有源半导体子层和多层绝缘隔离子层，所述薄膜晶体管的源极和漏极与所述多层有源半导体子层导电连接。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括欧姆接触层，所述欧姆接触层形成在所述有源层上，且所述有源层沿厚度方向上窄下宽，所述欧姆接触层和所述多层有源半导体子层接触，所述源极和所述漏极形成在所述欧姆接触层上。

3.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源半导体子层的材料包括非晶硅。

4.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述绝缘隔离子层的材料包括硅的氧化物和/或硅的氮化物。

5.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其特征在于，每层所述有源半导体子层的厚度为每层所述绝缘隔离子层的厚度为

6.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述多层有源半导体子层和绝缘隔离子层的致密性从上至下逐渐增加。

7.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括权利要求1至6中任意一项所述的薄膜晶体管。

8.一种薄膜晶体管的制作方法，该制作方法包括形成薄膜晶体管的有源层的步骤和形成薄膜晶体管源极和漏极的步骤，其特征在于，所述形成薄膜晶体管的有源层的步骤包括：

交替沉积有源半导体膜层和绝缘隔离膜层；

利用构图工艺形成包括所述有源层的图形，使得所述有源层沿厚度方向上窄下宽。

9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，交替沉积多层有源半导体膜层和绝缘隔离膜层时，通过控制沉积气压和气体流量使所述多层有源半导体膜层和绝缘隔离膜层的致密性从上至下逐渐增加。

10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述利用构图工艺形成包括所述有源层的图形，使得所述有源层沿厚度方向上窄下宽，具体为：

在交替沉积的且致密性从上至下逐渐增加的有源半导体膜层和绝缘隔离膜层上涂覆光刻胶，并对光刻胶进行曝光和显影，以形成对应于有源层的图形，之后根据该图形进行刻蚀，以形成包括有源层的图形，使得所述有源层沿厚度方向上窄下宽。

11.根据权利要求8至10中任意一项所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在所述形成薄膜晶体管的有源层的步骤和所述形成薄膜晶体管的源极和漏极的步骤之间，还包括：

在所述有源层上形成欧姆接触层，且所述欧姆接触层与所述多层有源半导体子层接触；

所述形成薄膜晶体管的源极和漏极的步骤包括：

在所述欧姆接触层上形成所述源极和所述漏极。

12.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求7所述的阵列基板。