[发明专利]GeSn层及其形成方法在审
| 申请号： | 201410063532.X | 申请日： | 2014-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN103811304A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 肖磊;王敬;赵梅;梁仁荣;许军 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/265;H01L21/203;H01L29/161 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | gesn 及其 形成 方法 | ||
1.一种GeSn层的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供顶部具有Ge层的衬底；
向所述Ge层表层注入含有Sn元素的原子、分子、离子或等离子体，以形成GeSn层。
2.如权利要求1所述的GeSn层的形成方法，其特征在于，所述注入的方法包括离子注入。
3.如权利要求2所述的GeSn层的形成方法，其特征在于，所述离子注入包括等离子体源离子注入和等离子体浸没离子注入。
4.如权利要求1所述的GeSn层的形成方法，其特征在于，所述注入的方法包括磁控溅射。
5.如权利要求4所述的GeSn层的形成方法，其特征在于，在利用所述磁控溅射注入的过程中，在所述衬底上加载负偏压。
6.如权利要求4或5所述的GeSn层的形成方法，其特征在于，还包括，去除所述磁控溅射在所述GeSn层之上形成的Sn薄膜。
7.如权利要求6所述的GeSn层的形成方法，其特征在于，利用对GeSn和Sn具有高腐蚀选择比的溶液清洗以去除所述Sn薄膜。
8.如权利要求1所述的GeSn层的形成方法，其特征在于，所述注入的过程中对所述衬底加热，加热温度为100-600℃。
9.如权利要求1所述的GeSn层的形成方法，其特征在于，还包括，在所述注入之后，对所述GeSn层退火，退火温度为100-600℃。
10.如权利要求1所述的GeSn层的形成方法，其特征在于，所述GeSn层为应变GeSn层。
11.如权利要求10所述的GeSn层的形成方法，其特征在于，所述应变GeSn层的厚度为0.5-100nm。
12.如权利要求10所述的GeSn层的形成方法，其特征在于，所述应变GeSn层中Sn的原子百分含量小于20%。
13.如权利要求1-12任一项所述的GeSn层的形成方法，其特征在于，所述顶部具有Ge层的衬底包括：纯Ge衬底、绝缘体上Ge衬底、具有Ge表面的Si衬底。
14.一种GeSn层，其特征在于，通过如权利要求1-13任一项所述的方法形成。
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