[发明专利]碳硅复合电极材料及其制备方法

权利要求书

1.一种碳硅复合电极材料，其特征在于，其包含：

复数个含碳粒子，其中每一含碳粒子的表面包含一第一修饰膜，其中该第一修饰膜包含一第一有机高分子，其中该第一有机高分子是具有第一电性的水溶性高分子；以及

复数个含硅粒子，其中每一含硅粒子的表面包含一第二修饰膜，其中每一该含碳粒子上附着有至少一该含硅粒子，其中该第二修饰膜包含一第二有机高分子，其中该第二有机高分子是具有第二电性的水溶性高分子，其中该第二电性与上述第一有机高分子的第一电性相反，其中上述第二修饰膜中的第二高分子与上述第一修饰膜中的第一高分子之间形成离子键结。

2.如权利要求1所述的碳硅复合电极材料，其特征在于，其中该第一有机高分子是带正电荷的有机高分子，其中该第一有机高分子是选自下列群组中之一：聚四级胺盐 (poly-Quaternary ammonium salt)、阴离子交换树脂或聚合物 (anion-exchange resin or polymer)，其中该第二有机高分子是带负电荷的有机高分子，其中该第二有机高分子是选自下列群组中之一：具有磺酸基 (sulfonic acid group) 的高分子、具有碳酸基 (carbonic acid group) 的高分子、阳离子交换树脂或聚合物 (cation-exchange resin or polymer)。

3.如权利要求1所述的碳硅复合电极材料，其特征在于，其中该第一有机高分子是选自下列群组中之一或其组合：聚二丙烯基二甲基氯化铵 (Polydiallyldimethylammonium chloride; PA)、十二烷基三甲基溴化铵 (Dodecyltrimethylammonium bromide)、消胆胺 (Cholestyramine 或 colestyramine; Questran, Questran Light, Cholybar)、聚丙烯酰胺丙基三甲基氯化铵 [poly(acrylamido-N-propyl trimethyl ammonium chloride; PolyAPTAC]、聚3-甲基丙酰胺丙基三甲基氯化铵 (poly[(3-methacryloylamino-propyl trimethylammonium chloride]; PolyMAPTAC)、聚氢氧化氯烯丙胺 [Poly(allylamine hydrochloride)]、聚二甲基氨基甲基氯季铵盐 [poly(dimethylaminoethylacrylate methylchloride quat); p-DMAEA*MCQ]、聚甲基丙烯酸二甲氨基甲基氯季铵盐 [poly(dimethylaminoethylmethacrylate methylchloride quat); p-DMAEM*MCQ]，其中该第二有机高分子是选自下列群组中之一或其组合：聚苯乙烯磺酸钠盐 [poly(sodium 4-styrene sulfonate)]、聚(2-丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸) [poly(2-acrylamido-2-methyl-1-propanesulfonic acid); polyAMPS]、聚丙烯酸 (polyacrylic acid; PAA)、聚丙烯酸钠盐 [Poly(sodium acrylate)]。

4.如权利要求1所述的碳硅复合电极材料，其特征在于，其中该第一有机高分子的平均分子量10,000-500,000，其中该第二有机高分子的平均分子量为50,000-1,000,000。

5.如权利要求1所述的碳硅复合电极材料，其特征在于，其中该第一修饰膜更包含一第三有机高分子，其中上述第三有机高分子的平均分子量为2,000-200,000，其中该第二修饰膜更包含一第四有机高分子，其中上述第四有机高分子的平均分子量为2,000-200,000。

6.如权利要求5所述的碳硅复合电极材料，其特征在于，其中该第三有机高分子与该第四有机高分子分别选自下列群组中之一或其组合：聚乙烯醇 (polyvinyl alcohol; PVA)、乙烯醇乙烯共聚物 [Poly(vinyl alcohol-co-ethylene)]。

7.如权利要求1所述的碳硅复合电极材料，其特征在于，更包含一第三修饰膜，其中上述第三修饰膜包覆于上述具有至少一含硅粒子的含碳粒子的表面。