[发明专利]一种低电场源极抹除非挥发性内存单元及其制造方法有效
| 申请号： | 201410064641.3 | 申请日： | 2014-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN103811498B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 范德慈;陈志明;吕荣章 | 申请（专利权）人： | 北京芯盈速腾电子科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B41/35 | 分类号： | H10B41/35 |
| 代理公司： | 上海唯源专利代理有限公司 31229 | 代理人： | 曾耀先 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电场 源极抹 除非 挥发性 内存 单元 及其 制造 方法 | ||
1.一种低电场源极抹除非挥发性内存单元的制造方法，其特征在于，包含：
提供一基板，其中所述基板具有一上表面；
形成一第一介电层于所述基板的上表面；
形成一选择栅极区于所述第一介电层之上；
形成一选择栅极区侧壁绝缘层，于所述选择栅极区未覆盖所述基板上表面处形成一穿隧介电层,连接于所述选择栅极区上表面；
形成一自对准浮动栅极；
以离子布植方式形成源极扩散区的淡掺杂区；
形成一离子布植隔离层；
以离子布植方式形成源极扩散区的浓掺杂扩散区；
去除离子布植隔离层；
形成一悬浮栅极区于所述穿隧介电层的表面上，于所述悬浮栅极区之上形成一第二介电层；
以快速硅氧化方式修补离子布植缺陷并形成一源极绝缘层；
于所述第二介电层之上形成一控制栅极区。
2.如权利要求1所述的低电场源极抹除非挥发性内存单元的制造方法，其特征在于，所述源极扩散区的浓掺杂区和淡掺杂区的结构为两种不同扩散系数的磷原子以及砷原子。
3.如权利要求1所述的低电场源极抹除非挥发性内存单元的制造方法，其特征在于，所述离子布植隔离层的厚度介于10纳米至30纳米之间。
4.如权利要求1所述的低电场源极抹除非挥发性内存单元的制造方法，其特征在于，所述穿隧介电层的厚度介于5纳米至15纳米之间。
5.如权利要求1所述的低电场源极抹除非挥发性内存单元的制造方法，其特征在于，所述源极绝缘层的厚度介于10纳米至30纳米之间。
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