[发明专利]一种镓酸铋铁电薄膜材料及其制备方法

权利要求书

1.一种镓酸铋铁电薄膜材料，其特征在于镓酸铋铁电薄膜材料生长在衬底材料上，所述镓酸铋分子式为BiGaO₃，所述的衬底为Si、LaNiO₃/Si、Pt/TiO₂/SiO₂/Si、Pt/Ti/SiO₂/Si其中之一；所述的BiGaO₃薄膜材料的空间群为Pcca，晶格常数为a=5.626?，b=5.081?，c=10.339?；所述的BiGaO₃薄膜材料在所选择的衬底上生长得到的择优取向为（112）。

2.一种权利要求1所述的镓酸铋铁电薄膜材料的制备方法，其特征在于该方法包括以下具体步骤：

（a）镓酸铋溶液的配制

以乙酸为溶剂、五水硝酸铋和六水硝酸镓为溶质，按照Bi∶Ga的摩尔比为1.1∶1称量五水硝酸铋和六水硝酸镓后，以0.05～0.15M的浓度标准加入分析纯的乙酸，然后在温度为60℃下进行搅拌，搅拌至硝酸铋和硝酸镓全部溶解为止，得到无色透明溶液；

（b）镓酸铋薄膜材料的制备

    将步骤a）配制好的溶液滴到高速旋转的衬底上，衬底转速为3000～4000转/分，旋转25～35秒，得到原料膜；然后将原料膜置于快速退火炉中进行热处理，退火步骤依次为：在180～220℃下保温200秒，再在380～400℃下热解240秒，最后在600℃～700℃下退火300秒；得到镓酸铋铁电薄膜材料，根据所需得到的薄膜厚度可以重复多次步骤（b）；所述衬底为Si、LaNiO₃/Si、Pt/TiO₂/SiO₂//Si、Pt/Ti/SiO₂//Si其中之一。