[发明专利]一种汞离子选择电极方法有效
申请号: | 201410065487.1 | 申请日: | 2014-02-26 |
公开(公告)号: | CN103776886A | 公开(公告)日: | 2014-05-07 |
发明(设计)人: | 曹忠;曹婷婷;李娇;梁海琴;龙姝;肖忠良 | 申请(专利权)人: | 长沙理工大学 |
主分类号: | G01N27/333 | 分类号: | G01N27/333 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 410004 湖南省长沙市雨花区万家*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 离子 选择 电极 方法 | ||
1.一种汞离子选择电极(1),其特征在于该选择电极包括一个11-羟基十一烷基硫醇膜层(25)修饰的工作金膜(12)的基片(11),该基片(11)上覆盖的工作金膜(12)与引脚金膜(13)通过金膜层相连,引脚金膜(13)与外包有塑料绝缘层(14)的金属丝导线(15)通过焊锡(16)相连接,连接处用环氧树脂胶(17)包裹密封。
2.根据权利要求1所述的选择电极,其特征在于所述基片(11)的外形设计如下:基片(11)上覆盖的工作金膜(12)的形状为正方形,边长为2~12mm;引脚金膜(13)的形状为小长方形,长为1~6mm,宽为1~4mm;整个基片(11)的形状为长方形,长为3~18mm,宽为2~12mm,其四周边缘均用环氧树脂胶密封。
3.根据权利要求1所述的选择电极,其特征在于所述金属丝导线(15)的材料为铜丝、铝丝或银丝。
4.根据权利要求1所述的选择电极,其特征在于所述基片(11)的制备过程如下:采用磁控溅射镀膜法,通过控制镀膜真空度≤2.0×10-3 Pa,镀膜速度≤2.0 ?/s,在抛光的氮化硅基板(21)表面上逐步溅射沉积二氧化硅膜层(22)、金属铬膜层(23)、铜锰合金膜层(24);铜锰合金膜层(24)经抛光处理后,再采用掩膜版法在其表面上溅射沉积工作金膜(12)和引脚金膜(13);工作金膜(12)经化学清洗处理后再在其表面上组装修饰11-羟基十一烷基硫醇膜层(25)。
5.根据权利要求4所述的选择电极,其特征是:在抛光的氮化硅基板(21)表面上逐步溅射沉积的二氧化硅膜层(22)的厚度为60~400nm,金属铬膜层(23)的厚度为20~120nm,铜锰合金膜层(24)的厚度为60~400nm;铜锰合金膜层(24)经抛光处理后,在其表面上所沉积工作金膜(12)和引脚金膜(13)的厚度为20~420nm。
6.根据权利要求4所述的选择电极,其特征在于铜锰合金膜层(24)材料各组份的质量百分含量分别为:Cu 70~85%、Mn 10~25%、Fe 3~6%、Ti 0.1~0.4%、Nb 0.01~0.05%。
7.根据权利要求4所述的选择电极,其特征在于11-羟基十一烷基硫醇膜层(25)的组装修饰方法,即先将选择电极基片(11)的工作金膜(12)表面用高纯纯净水清洗,依次在高纯纯净水、无水乙醇中超声清洗各0.1~20分钟,然后取出浸入0.1~200mmol/L的11-羟基十一烷基硫醇/无水乙醇溶液中,于4℃冰箱中自组装1~72小时,取出干燥,得11-羟基十一烷基硫醇膜层(25)修饰的选择电极,不用时置于去离子水中于4°C冰箱密封保存。
8.根据权利要求7所述的选择电极,其特征在于所述高纯纯净水为电阻率大于18MΩ·cm的高纯水,无水乙醇为重新蒸馏的无水乙醇溶剂。
9.根据权利要求1所述的选择电极,其特征在于该汞离子选择电极(1)的电化学测试装置如下:以该汞离子选择电极(1)为工作电极,饱和甘汞电极(2)为参比电极,两个电极通过导线与电位计(3)相连;测试时,汞离子选择电极(1)和饱和甘汞电极(2)插入装有搅拌磁子(4)的烧杯(5)中,烧杯(5)放置在磁力搅拌器(6)上,烧杯(5)内装有含汞离子的pH缓冲溶液;通过测试一系列已知浓度的汞离子标准溶液的电位值,以电位值对浓度值做工作曲线,然后测试未知浓度汞离子样品溶液的电位值,通过工作曲线求出样品溶液中汞离子的浓度值或含量。
10.根据权利要求9所述的选择电极,其特征在于所述pH缓冲溶液为pH4.0~10.0的Tris-HCl溶液,其配制方法是将0.1mol/L的Tris溶液和0.1mol/L的HCl溶液按适当比例混合,用0.1mol/L的NaOH溶液或0.1mol/L的HCl溶液调节其pH值。
11.根据权利要求9所述的选择电极,其特征在于该选择电极的电位响应值与汞离子的浓度在1.0×10-8~1.0×10-5mol/L范围内成线性关系,对汞离子的检测下限达到6.3×10-9mol/L,即6.3nmol/L。
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