[发明专利]覆晶式LED芯片

权利要求书

1.一种覆晶式LED芯片，包括衬底，由衬底的正面向上依次层叠地设有第一导电型半导体层、发光层、第二导电型半导体层、导电层和反射层；

还包括至少一个第一电极孔和至少一个第二电极孔，所述第一电极孔由所述反射层贯穿至发光层并暴露出第一导电型半导体层，所述第二电极孔贯穿反射层并暴露出导电层，第一电极孔的孔壁上涂覆有绝缘层；

第一电极孔内设有第一电极，所述第一电极的一端位于反射层的正面、另一端与第一导电型半导体层电性接触；第二电极孔内设有第二电极，所述第二电极的一端位于反射层的正面、另一端与导电层电性接触；

其特征在于，所述第一电极孔均匀分布在LED芯片上，所述第二电极孔均匀分布在第一电极孔周围。

2.根据权利要求1所述的覆晶式LED芯片，其特征在于，所述第一电极孔和第二电极孔设有至少两个，所述第一电极之间相互连接形成第一电极区，所述第二电极之间相互连接形成第二电极区。

3.根据权利要求2所述的覆晶式LED芯片，其特征在于，所述第一电极可分为多组，每一组至少包含一根第一电极；当同组中的电极数量多于一根，位于同组内的第一电极相互连接，不同组的第一电极之间至少通过本组中的一根第一电极与另一组内的第一电极连接。

4.根据权利要求3所述的覆晶式LED芯片，其特征在于，所述第一电极区和第二电极区上覆盖由绝缘材料制成的隔离层，所述隔离层上设有至少两个通孔，所述通孔内设有导电金属电极，所述导电金属电极分别单独与第一电极区和第二电极区连接。

5.根据权利要求1至4任意一项所述的覆晶式LED芯片，其特征在于，所述绝缘层和反射层由相同的高反射率绝缘材料制成，所述高反射率绝缘材料包括分布式布拉格反射镜DBR或SiO₂、SiNx、AlN。

6.根据权利要求1至4任意一项所述的覆晶式LED芯片，其特征在于，所述第一电极和第二电极的材质为金、银、铂、钛、铬、镍、铜和铝中的一种。

7.根据权利要求1至4任意一项所述的覆晶式LED芯片，其特征在于，所述隔离层的材质为二氧化硅或分布式布拉格反射镜DBR。

8.根据权利要求1至4任意一项所述的覆晶式LED芯片，其特征在于，所述导电层的材质为透明的导电材料。

9.根据权利要求8所述的覆晶式LED芯片，其特征在于，所述导电层的材质为掺锡氧化铟ITO。