[发明专利]具有带有单层光学涂层的窗的经蚀刻小面激光器

权利要求书

1.一种用于制作边缘发射光学半导体装置的方法，其包括：

在衬底上形成第一多量子阱MQW区域；

在所述第一MQW区域上方形成第一掩模，所述第一掩模界定沿实质上纵向方向在第一波导第一末端与第一波导第二末端之间延伸的第一脊形波导区域；

形成对应于所述第一脊形波导区域的第一脊形波导；

直接在所述第一脊形波导上形成由单一电介质材料组成的第二掩模；

通过所述第二掩模执行移除工艺以移除所述第一MQW区域及衬底的部分以产生沿深度方向从所述第一脊形波导延伸到所述衬底且穿过所述第一MQW区域的窗，所述窗界定第一波导经蚀刻末端小面；

直接在所述第二掩模上且直接在所述窗上施加光学涂层以涂覆所述第一波导经蚀刻末端小面，所述光学涂层由所述第二掩模的所述电介质材料的不多于一个层组成；

穿过所述光学涂层及所述第二掩模蚀刻第一接触开口以暴露所述第一脊形波导；及

施加与通过第一接触窗暴露的所述第一脊形波导的一部分接触的第一金属区域。

2.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述第二掩模的所述电介质材料由SiNx组成；且

所述光学涂层由不多于一个SiNx层组成。

3.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述方法进一步包括在衬底上形成第二MQW区域并形成对应于第二脊形波导区域的第二脊形波导，其中所述第一掩模进一步形成于所述第二MQW区域上方且进一步界定沿实质上所述纵向方向在第二波导第一末端与第二波导第二末端之间延伸的所述第二脊形波导区域；

所述移除工艺移除所述第二MQW区域及衬底的部分，且所述窗界定在所述第一波导第二末端处的所述第一波导经蚀刻末端小面及在所述第二波导第一末端处的第二波导经蚀刻末端小面；

直接在所述第二掩模上且直接在所述窗上施加光学涂层以涂覆所述第一波导经蚀刻末端小面进一步涂覆所述第二波导经蚀刻末端小面；且

所述方法进一步包括穿过所述光学涂层蚀刻第二接触窗以暴露所述第二脊形波导，并施加与通过所述第二接触窗暴露的所述第二脊形波导的一部分接触的第二金属区域。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述窗具有由第一对凹室及与所述第一对凹室相对的第二对凹室界定的“H”形状，所述第一波导经蚀刻末端小面在所述第一对凹室之间延伸，且所述第二波导经蚀刻末端小面在所述第二对凹室之间延伸。

5.一种边缘发射光学半导体装置，其包括：

衬底；

第一多量子阱MQW区域，其形成于所述衬底上；及

第一脊形波导，其沿实质上纵向方向在安置于第一窗中的第一波导第一经蚀刻末端小面与安置于第二窗中的第一波导第二经蚀刻末端小面之间延伸，所述第一脊形波导形成于所述衬底的表面上在所述第一MQW区域上方，所述第一及第二窗沿深度方向从所述第一脊形波导延伸到所述衬底且穿过所述第一MQW区域；

掩模层，其由直接安置于所述第一脊形波导上的单一电介质材料组成；

光学涂层，其直接安置于第二掩模上且直接安置于所述第一窗上以涂覆所述第一波导第一经蚀刻末端小面，且直接安置于所述第二窗上以涂覆所述第一波导第二经蚀刻小面，所述光学涂层由所述第二掩模的电介质材料的不多于一个层组成；及

第一金属区域，其沿所述深度方向延伸穿过所述光学涂层及所述掩模层中的第一接触开口，所述第一金属区域与所述第一脊形波导的一部分接触。

6.根据权利要求5所述的边缘发射光学半导体装置，其进一步包括：

第二MQW区域，其形成于所述衬底上；

第二脊形波导，其沿实质上所述纵向方向在安置于所述第二窗中的第二波导第一经蚀刻末端小面与安置于第三窗中的第二波导第二经蚀刻末端小面之间延伸，所述第二脊形波导形成于所述衬底的表面上在所述第二MQW区域上方，其中所述掩模层进一步直接安置于所述第二脊形波导上，且其中所述光学涂层直接安置于所述第二窗上以进一步涂覆所述第二波导第一经蚀刻末端小面且进一步直接安置于所述第三窗上以涂覆所述第二波导第二经蚀刻小面；及

第二金属区域，其沿所述深度方向延伸穿过所述光学涂层及所述掩模层中的第二接触开口，所述第二金属区域接触所述第二脊形波导。

7.根据权利要求6所述的边缘发射光学半导体装置，其中所述第二窗具有由第一对凹室及与所述第一对凹室相对的第二对凹室界定的“H”形状，所述第一波导第二经蚀刻末端小面在所述第一对凹室之间延伸，且所述第二波导第一经蚀刻末端小面在所述第二对凹室之间延伸。