[发明专利]多层存储块兼具单层存储块性能的方法在审
| 申请号： | 201410065882.X | 申请日： | 2014-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN103870214A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 李修录 | 申请（专利权）人： | 深圳市安信达存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06;G06F12/02 |
| 代理公司： | 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙) 44248 | 代理人： | 孙伟 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区西*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多层 存储 兼具 单层 性能 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种多层存储块兼具单层存储块性能的方法，其特征在于：该方法包括以下步骤： A.在每个存储单位上仅设置“0”和“1”两个电位； B.模拟单层存储块的写入方式将数据写入多层存储块内。
2.根据权利要求1所述多层存储块兼具单层存储块性能的方法，其特征在于：步骤B中所述模拟单层存储块写入方式是采用独立内置固件的形式完成的。
3.根据权利要求2所述多层存储块兼具单层存储块性能的方法，其特征在于：步骤B中所述内置固件采用TurboMLC技术将每单位存储2比特位改为每单位存储1比特位。
4.根据权利要求3所述多层存储块兼具单层存储块性能的方法，其特征在于：步骤B中所述内置固件对寻址方式进行编译。
5.根据权利要求3所述多层存储块兼具单层存储块性能的方法，其特征在于：步骤B中所述内置固件对寻址方式编译的方法是通过pointer operation命令选择bit8的高低，从而确定A8为halfpage pointer，确定A[7:0]为column address，确定存储单元page在存储块内的相对地址。
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