[发明专利]高电位梯度的二氧化锡压敏电阻材料无效
| 申请号： | 201410065895.7 | 申请日： | 2014-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN103819186A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 刘延星;王春明;朱木典;曹育斌 | 申请（专利权）人： | 江苏世星电子科技有限公司;江苏海峰电子有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/457 | 分类号： | C04B35/457;C04B35/622 |
| 代理公司： | 连云港润知专利代理事务所 32255 | 代理人： | 刘喜莲 |
| 地址： | 222300 江苏省连云*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电位 梯度 氧化 压敏电阻 材料 | ||
【权利要求书】：
1.一种高电位梯度的二氧化锡压敏电阻材料，其特征在于：该材料由以下摩尔百分比的组分组成：
SnO2：95~99.7mol%；
CuO或Cu2O：0.25~2.5mol%；
Nb2O5或金属Nb粉料：0.05~2.5 mol%。
2.根据权利要求1所述的高电位梯度的二氧化锡压敏电阻材料，其特征在于：该材料由以下摩尔百分比的组分组成：
SnO2：98.95 mol% ；
CuO ：1.00 mol%；
Nb2O5：0.05 mol%。
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