[发明专利]一种基于硅硼酸盐的纳米金膜电极方法

权利要求书

1.一种基于硅硼酸盐的纳米金膜电极，其特征在于该电极包括覆盖有一层纳米级厚度工作金膜（2）和引脚金膜（3）的基片（1），该引脚金膜（3）与外包有塑料绝缘层（4）的金属丝导线（5）通过焊锡（6）相连接，连接处用环氧树脂胶（7）包裹密封。

2.根据权利要求1所述的纳米金膜电极，其特征在于所述基片（1）的形状为长方形，长为3~18mm，宽为2~12mm，其四周边缘均用环氧树脂胶包裹密封；工作金膜（2）的形状为正方形，边长为2~12mm；引脚金膜（3）的形状为小长方形，长为1~6mm，宽为1~4mm。

3.根据权利要求1所述的纳米金膜电极，其特征在于所述金属丝导线（5）的材料为铜丝、铝丝或银丝。

4.根据权利要求1所述的纳米金膜电极，其特征在于所述基片（1）的制备过程如下：采用磁控溅射镀膜法，通过控制镀膜真空度≤2.0×10^-3 Pa，镀膜速度≤2.0 ?/s，在抛光的硅硼酸盐基板（11）表面上逐步溅射沉积二氧化锡膜层（12）、金属铬膜层（13）、铜锰合金膜层（14）；铜锰合金膜层（14）经抛光处理后，再采用掩膜版法在其表面上溅射沉积工作金膜（2）和引脚金膜（3）。

5.根据权利要求4所述的纳米金膜电极，其特征是：在抛光的硅硼酸盐基板（11）表面上逐步溅射沉积的二氧化锡膜层（12）的厚度为60~400nm，金属铬膜层（13）的厚度为20~100nm，铜锰合金膜层（14）的厚度为60~400nm。

6.根据权利要求4所述的纳米金膜电极，其特征是：铜锰合金膜层（14）经抛光处理后，在其表面上所沉积工作金膜（2）和引脚金膜（3）的厚度为20~400nm。

7.根据权利要求4所述的纳米金膜电极，其特征在于铜锰合金膜层（14）材料的各组分的质量百分比分别为：Cu 72~82%、Mn 8~18%、Fe 3~6%、Si ≤3.5%、C ≤0.45%、P ≤0.07%、S ≤0.03%。