[发明专利]一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种氧化物薄膜晶体管，设置有栅极、氧化物半导体层、位于栅极和氧化物半导体层之间的绝缘层、分别电性连接于所述氧化物半导体层两端的源极和漏极、覆设于所述源极、漏极及所述氧化物半导体层的裸露面的保护层，其特征在于：所述保护层的材料为含吸电子基团的有机绝缘材料。

2.根据权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于：所述吸电子基团为酰基、醛基、羧基、酰氨基、磺酸基、腈基、硝基、卤仿基和季胺基中的任意一种或者一种以上的组合。

3.根据权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于：所述吸电子基团为中强吸电子基团，具体包括—F、—Cl、—Br和—I四种卤仿基中的任意一种或者一种以上的组合。

4.根据权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于：所述吸电子基团为强吸电子基团，具体包括酰基、酰氨基、磺酸基、腈基和硝基的任意一种或者一种以上的组合。

5.根据权利要求1至4任意一项所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于：所述含吸电子基团的有机绝缘材料为聚合物材料。

6.根据权利要求1至4任意一项所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于：所述含吸电子基团的有机绝缘材料为小分子材料。

7.根据权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于：所述的氧化物半导体层的材料含有Zn、In、Ga和Sn中的任意一种或者一种以上的组合。

8.根据权利要求7所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于：所述氧化物半导体层的材料还含有Cd、Ni、Al、Si、Sc、Y、Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、Mo、W、La、Nd、Ce、Pr、Pm、Sm和Eu中的任意一种元素或者一种以上元素的组合。

9.如权利要求1至8任意一项所述的氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：

采用旋涂、打印、印刷、滴涂或浸泡方法将含吸电子基团的有机绝缘材料制备作为保护层使得所述保护层覆设于所述源极、漏极及所述氧化物半导体层的裸露面。

10.如权利要求9所述的氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：

所述栅极是通过溅射、真空蒸发或溶液处理的方法制备一层厚度为100～500nm的导电薄膜，并通过遮挡掩膜或光刻的方法图形化制备而成；

所述绝缘层是通过阳极氧化法、热氧化法、物理气相沉积法或化学气相沉积法制备厚度为100～1000nm的薄膜，并通过遮挡掩膜或光刻法图形化制备而成；

所述氧化物半导体层是通过溅射法或溶胶-凝胶法制备厚度为 10～100nm的薄膜，并通过遮挡掩膜法或光刻法图形化制备而成；

    所述源极和漏极是采用真空蒸镀或溅射的方法制备一层厚度为100～1000nm的导电层，并采用遮挡掩膜或光刻的方法图形化同时制备所述源极和漏极。