[发明专利]聚焦离子束低千伏增强有效
申请号: | 201410066714.2 | 申请日: | 2014-02-26 |
公开(公告)号: | CN104008943B | 公开(公告)日: | 2018-02-16 |
发明(设计)人: | M.马佐斯 | 申请(专利权)人: | FEI公司 |
主分类号: | H01J37/21 | 分类号: | H01J37/21;H01J37/147;H01J37/28;H01J37/10 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 马红梅,胡莉莉 |
地址: | 美国俄*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 聚焦 离子束 千伏 增强 | ||
1.一种带电粒子束系统,包括:
带电粒子的源;
带电粒子束聚焦柱,被配置成将所述带电粒子聚焦成带电粒子束,其中所述带电粒子束聚焦柱的中间段的组件包括被配置成跨靶体的表面扫描所述带电粒子束的扫描静电偏转器;以及
电压模块,被配置成将浮动偏置电压施加到所述组件,使得所述带电粒子束在所述中间段内部比在所述表面处以更高的动能移动。
2.如权利要求1所述的带电粒子束系统,其中,所述浮动偏置电压是提高所述中间段与所述靶体之间的电势差的浮动偏置电压。
3.如权利要求1所述的带电粒子束系统,进一步包括光轴,所述光轴从所述带电粒子的源延伸,且横贯所述带电粒子束聚焦柱的长度,并且其中,所述带电粒子束聚焦柱进一步包括沿所述光轴在所述扫描静电偏转器的下游设置的透镜。
4.如权利要求1所述的带电粒子束系统,其中,所述带电粒子束聚焦柱是聚焦离子束柱,所述带电粒子束是聚焦离子束,并且所述浮动偏置电压包括负电压。
5.如权利要求4所述的带电粒子束系统,其中,所述浮动偏置电压包括处于0与-5 kV之间的负电压。
6.如权利要求5所述的带电粒子束系统,其中,所述负电压处于从-1 kV到-3 kV的范围内。
7.如权利要求4所述的带电粒子束系统,其中,所述扫描静电偏转器包括八极。
8.如权利要求1所述的带电粒子束系统,其中,所述浮动偏置电压包括高于地的电压。
9.如权利要求1所述的带电粒子束系统,其中,所述带电粒子的源包括电子源。
10.一种带电粒子束系统,包括:
带电粒子的源;
带电粒子束柱,被配置成将包括来自所述源的带电粒子的带电粒子束引导至靶体上,其中,所述带电粒子束柱的中间段包括增压器管,所述增压器管包含被配置成跨所述靶体的表面扫描所述带电粒子束的扫描静电偏转器;以及
电压模块,被配置成随着所述带电粒子束沿光轴横贯所述带电粒子束柱的长度而将浮动偏置电压施加到所述增压器管,使得所述带电粒子束在所述中间段内部比在所述表面处以更高的动能移动,所述光轴从所述源延伸到所述靶体。
11.如权利要求10所述的带电粒子束系统,其中:
所述带电粒子束柱进一步包括沿从所述源延伸到所述靶体的光轴在所述扫描静电偏转器的下游设置的透镜。
12.如权利要求10所述的带电粒子束系统,其中,所述带电粒子束柱是聚焦离子束柱,所述带电粒子束是聚焦离子束,并且将浮动偏置电压施加到所述增压器管包括将负电压施加到所述增压器管。
13.如权利要求10所述的带电粒子束系统,其中,所述增压器管封装所述带电粒子束柱的中间组件,并且所述扫描静电偏转器是所述中间组件之一。
14.如权利要求13所述的带电粒子束系统,其中,所述增压器管将所述中间组件与接地电势电绝缘。
15.如权利要求14所述的带电粒子束系统,其中,所述增压器管的材料将所述中间组件与接地电势电绝缘。
16.如权利要求10所述的带电粒子束系统,其中,所述增压器管和所述带电粒子束柱的其他组件与地电绝缘。
17.如权利要求10所述的带电粒子束系统,其中:
所述增压器管包括所述带电粒子束柱的设置在所述带电粒子束柱的中间段内的组件;并且
所述增压器管不包括封装所述组件的实体管。
18.一种用于使用带电粒子束使靶体成像和/或对靶体进行加工的方法,所述方法包括:
沿从带电粒子的源向靶体的表面延伸的带电粒子束柱的光轴引导带电粒子束;以及
将浮动偏置电压施加到所述带电粒子束柱的中间段的组件,使得所述带电粒子束在所述中间段内部比在所述表面处以更高的动能移动,其中,所述组件包括被配置成跨所述表面扫描所述带电粒子束的扫描静电偏转器。
19.如权利要求18所述的方法,其中,所述带电粒子束柱包括沿所述光轴在所述扫描静电偏转器的下游设置的透镜,并且所述方法进一步包括将所述带电粒子束引导通过所述扫描静电偏转器和所述透镜。
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